[发明专利]存储设备、非易失性存储设备以及存储设备的操作方法在审
申请号: | 201910009213.3 | 申请日: | 2019-01-04 |
公开(公告)号: | CN110008053A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 崔伸浩 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储单元 参考存储单元 存储设备 非易失性存储设备 坏区 读取 第二存储单元 坏存储单元 控制器访问 读取结果 控制器 关联 失败 访问 | ||
1.一种存储设备,包括:
包括存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备;以及
控制器,其:
访问所述存储单元中的第一存储单元,
当对所述第一存储单元的访问失败时,读取所述参考存储单元中的与所述第一存储单元相关联的第一参考存储单元,
根据所述第一参考存储单元的读取结果,确定从所述存储单元中的坏区,以及
从所述存储单元中识别属于所述坏区的第二存储单元作为坏存储单元。
2.如权利要求1所述的存储设备,其中,所述控制器向所述非易失性存储设备发送:
用于访问所述第一存储单元的第一命令,以及
当所述非易失性存储设备向所述控制器通信访问失败时,用于读取所述第一参考存储单元的第二命令。
3.如权利要求2所述的存储设备,其中,所述控制器:
向所述非易失性存储设备发送用于读取所述参考存储单元中的第二参考存储单元的第三命令,以及
取决于通过运行所述第二命令和所述第三命令获得的结果确定所述坏区。
4.如权利要求1所述的存储设备,其中,所述第一存储单元和所述第一参考存储单元与相同的串选择线和相同的字线相关联。
5.如权利要求1所述的存储设备,其中,所述第一存储单元和所述第一参考存储单元与相同的串选择线和相同的位线相关联。
6.如权利要求1所述的存储设备,其中,当由于单独失败而导致对第一存储单元的访问失败时,所述控制器确定所述坏区不存在。
7.如权利要求1所述的存储设备,其中:
所述存储单元被连接到子字线,并且所述子字线的两个或更多个子字线被分组并被连接到字线中的每一个,以及
当由于连接到特定字线的少数子字线的失败而导致对所述第一存储单元的访问失败时,所述控制器将所述少数子字线识别为所述坏区。
8.如权利要求1所述的存储设备,其中:
所述存储单元被连接到子字线,并且所述子字线的两个或更多个子字线被分组并被连接到字线中的每一个,以及
当由于连接到特定字线的多数子字线的失败而导致对所述第一存储单元的访问失败时,所述控制器将所述特定字线识别为所述坏区。
9.如权利要求1所述的存储设备,其中:
所述非易失性存储设备包括以行和列的形式布置在衬底上的单元串,所述单元串包括所述存储单元,
所述单元串的所述存储单元沿垂直于所述衬底的方向堆叠,以及
当由于特定行的失败而导致对所述第一存储单元的访问失败时,所述控制器将所述单元串中的所述特定行的单元串识别为所述坏区。
10.如权利要求1所述的存储设备,其中:
所述非易失性存储设备包括存储块,所述存储块中的每一个包括所述存储单元,以及
当由于所述存储块的特定存储块的失败而导致对所述第一存储单元的访问失败并且未确定失败的特定原因时,所述控制器识别所述第一存储单元所属的特定存储块为所述坏区。
11.如权利要求1所述的存储设备,其中,对所述第一存储单元的访问是写入操作、读取操作或擦除操作。
12.如权利要求1所述的存储设备,其中,所述参考存储单元包括伪存储单元、选择晶体管、存储对应于特定阈值电压范围的参考数据的参考存储单元或用于存储用户数据的存储单元。
13.如权利要求1所述的存储设备,其中,所述控制器取决于所述第一参考存储单元的阈值电压分布识别所述坏区。
14.如权利要求1所述的存储设备,其中,所述控制器将所述第一参考存储单元的阈值电压分布与所述参考存储单元中的第二参考存储单元的阈值电压分布进行比较以识别所述坏区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910009213.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。