[发明专利]存储设备、非易失性存储设备以及存储设备的操作方法

说明书

一种存储设备，包括控制器和具有存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备。所述控制器访问所述存储单元的第一存储单元，当访问所述第一存储单元失败时，从所述参考存储单元中读取与第一存储单元相关联的第一参考存储单元，取决于所述第一参考存储单元的读取结果确定坏区，并且将所述存储单元中的属于坏区的第二存储单元设置为坏存储单元。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0001239的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及包括非易失性存储设备的存储设备、非易失性存储设备和该存储设备的操作方法。

背景技术

非易失性存储设备包括即使在断电时也保持存储在其中的数据的存储单元。非易失性存储设备可以包括闪存设备、相变存储设备、铁电存储设备、磁存储设备、电阻存储设备等。

如果在存储单元中或在存储单元的周围材料中发生缺陷，则对存储单元的访问可能失败。如果对存储单元的访问失败，则可以将包括其中访问失败的存储单元的存储空间设置为坏区(bad area)。对被设置为坏区的存储空间的访问是禁止的，从而导致非易失性存储设备或存储设备的存储容量减小。

发明内容

本公开的实施例提供了一种包括降低由于设置坏区而导致的存储容量减小的非易失性存储设备的存储设备、非易失性存储设备和该存储设备的操作方法。

根据示例性实施例，存储设备包括：包括存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备，以及访问存储单元中的第一存储单元的控制器，当访问第一存储单元失败时，控制器从参考存储器之中读取与第一存储单元相关联的第一参考存储单元；根据第一参考存储单元的读取结果，从所述存储单元中确定坏区；并从存储单元中将属于坏区的第二存储单元设置为坏存储单元。

根据示例性实施例，非易失性存储设备包括：包括存储单元和参考存储单元的存储单元阵列，通过字线连接到存储单元阵列的行解码器电路，通过位线连接到存储单元阵列的页面缓冲器电路，以及控制逻辑电路，控制逻辑电路控制行解码器电路和页面缓冲器电路以便访问存储单元的第一存储单元，并当对第一存储单元的访问失败时，控制行解码电路和页面缓冲器电路以读取与第一存储单元相关联的第一参考存储单元。取决于第一参考存储单元的读取结果来设置与第一存储单元相关联的坏区。

根据示例性实施例，一种包括包含存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备以及非易失性存储设备的控制器的存储设备的操作方法，包括：访问存储单元中的第一存储单元；当对第一存储单元的访问失败时，从参考存储单元中读取与第一存储单元相关联的第一参考存储单元；并取决于第一参考存储单元的读取结果确定与第一存储单元相关联的坏区。

根据示例性实施例，存储设备包括非易失性存储块和控制器。非易失性存储块具有平面(plane)，平面中的每一个包括串(string)，并且由不同的串选择线寻址，同一平面内的串的每一个由不同的位线寻址，并且包括用户存储单元和参考存储单元，同一串内的用户存储单元中的每一个由相同的位线和不同的字线寻址，并且同一串内的参考存储单元中的每一个由相同的位线和不同的字线或不同的选择线寻址，所述选择线可以是串选择线。控制器：(1)访问非易失性存储块内的用户存储单元中的第一用户存储单元，(2)响应于关于访问第一用户存储单元确定访问错误，在非易失性存储块内的参考存储单元中读取与第一用户存储单元相关联的第一参考存储单元，并且(3)基于读取第一参考存储单元的第一读取结果，确定第一用户存储单元是否可用于存储数据。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明的示例性实施例，本公开的上述和其他目的和特征将变得显而易见。

图1是示出根据本公开的实施例的存储设备的框图。