[发明专利]一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法在审
| 申请号： | 201910010353.2 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111416023A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王帅;程叶;杨猛;王利明;凌华山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 223800 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属电极 侧向 包覆高 反射 提高 方法 | ||
1.一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，该方法的工艺流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具体步骤如下：
1）MSA：在GAN上定义出LED芯片图形大小；
2）CBL：沉积一层SiO2电流阻挡层；
3）TCL：再沉积一层导电层；
4）PAD：在镀上金属电极用于导电作业；
5）NDBR：在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层；
6）PSV：最后镀上一层SiO2，作为芯片保护层。
2.如权利要求1所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：步骤5）中所述高反射DBR层由SiO2与Ti3O5交替镀膜而成，且所述高反射DBR层的厚度为3.0-6.0um。
3.如权利要求2所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：所述高反射DBR层的厚度为3.5um。
4.如权利要求2或3所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：所述高反射DBR层中SiO2与Ti3O5的厚度比为1：1。
5.如权利要求1所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：步骤4）中所述金属电极选用金电极、银电极或铜电极中的任意一种。
6.如权利要求1所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：步骤3）中所述导电层为铟锡氧化物沉积层。
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