[发明专利]一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法

说明书

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，该方法的工艺流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具体步骤为1）MSA：在GAN上定义出LED芯片图形大小；2）CBL：沉积一层SiO₂电流阻挡层；3）TCL：再沉积一层导电层；4）PAD：在镀上金属电极用于导电作业；5）NDBR：在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层；6）PSV：最后镀上一层SiO₂，作为芯片保护层，本发明打破常规思路，通过在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层，增加了侧向光于金属电极上的反射，进而实现光效的最大化；且本发明的制备工艺简单，满足了LED芯片的制作要求，可在实际的工业生产中进行推广应用。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法。

背景技术

目前第三代光源LED以其具体节能环保的优越性已逐步取代传统光源。LED光源的发光核心在于芯片的制作以及光效的提取。目前业内LED芯片制作主要为正装结构芯片，即利用一系列透过、反射等原理将外延GAN发出的光最大限度的从芯片正面发出来，减小芯片背面以及侧壁等方面对光造成的吸收，从而实现光效最大化。

目前芯片中游芯片端未将外延出光效益达到100%，其中一部分被金属电极遮挡，虽然金属电极下会有一定厚度的Al层，金属电极的厚度相对也会遮光。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，通过在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层，增加侧向光于金属电极上的反射，达到亮度最大化效益。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，该方法的工艺流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具体步骤如下：

1）MSA：在GAN上定义出LED芯片图形大小；

2）CBL：沉积一层SiO₂电流阻挡层；

3）TCL：再沉积一层导电层；

4）PAD：在镀上金属电极用于导电作业；

5）NDBR：在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层；

6）PSV：最后镀上一层SiO₂，作为芯片保护层。

优选地，步骤5）中所述高反射DBR层由SiO₂与Ti3O₅交替镀膜而成，且所述高反射DBR层的厚度为3.0-6.0um。

优选地，所述高反射DBR层的厚度为3.5um。

优选地，所述高反射DBR层中SiO₂与Ti₃O₅的厚度比为1：1。

优选地，步骤4）中所述金属电极选用金电极、银电极或铜电极中的任意一种。

优选地，步骤3）中所述导电层为铟锡氧化物沉积层。

有益效果：

本发明打破常规思路，通过在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层，增加了侧向光于金属电极上的反射，进而实现光效的最大化；且本发明的制备工艺简单，满足了LED芯片的制作要求，可在实际的工业生产中进行推广应用。

附图说明

图1为本发明技术方案制备的LED芯片的结构示意图；

图2为现有技术方案制备的LED芯片的结构示意图；