[发明专利]光配向掩膜版修复方法

权利要求书

1.一种光配向掩膜版修复方法，其特征在于，包括：

对待修复掩膜版的损伤位置涂抹第一遮光色阻；

在预设温度环境中对所述待修复掩膜版进行加热；

对所述待修复掩膜版进行清洗，以形成修复后掩膜版。

2.根据权利要求1所述的光配向掩膜版修复方法，其特征在于，在对所述待修复掩膜版进行清洗之前，还包括：

对所述修复后掩膜版进行表面高度测量，以获取最大高度差以及平整度；

确定所述最大高度差小于预设高度差阈值，所述平整度小于预设平整度阈值。

3.根据权利要求2所述的光配向掩膜版修复方法，其特征在于，所述预设高度差阈值为5微米，所述预设平整度阈值为2％。

4.根据权利要求2所述的光配向掩膜版修复方法，其特征在于，在所述对所述待修复掩膜版进行清洗之后，还包括：

对所述修复后掩膜版进行透光测试，确定所述损伤位置在修补后无透光。

5.根据权利要求4所述的光配向掩膜版修复方法，其特征在于，在所述确定所述损伤位置修补后无透光之后，还包括：

利用所述修复后掩膜版对预设数量的基板进行曝光，并统计良率；

当所述良率满足预设良率条件时，将所述修复后掩膜版投入生产。

6.根据权利要求5所述的光配向掩膜版修复方法，其特征在于，所述利用所述修复后掩膜版对预设数量的基板进行曝光，并统计良率，包括：

利用所述修复后掩膜版对第一数量的基板进行曝光，并统计第一良率；

利用所述修复后掩膜版对第二数量的基板进行曝光，并统计第二良率；

利用所述修复后掩膜版对第三数量的基板进行曝光，并统计第三良率；

其中，所述第一数量小于所述第二数量，所述第二数量小于所述第三数量。

7.根据权利要求6所述的光配向掩膜版修复方法，其特征在于，所述第一数量为5组，所述第二数量为20组，所述第三数量为100组。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的光配向掩膜版修复方法，其特征在于，所述第一遮光色阻为黑色矩阵色阻。

9.根据权利要求8所述的光配向掩膜版修复方法，其特征在于，所述预设温度环境的温度为100-220摄氏度。

10.根据权利要求9所述的光配向掩膜版修复方法，其特征在于，所述预设温度环境的温度为180摄氏度。