[发明专利]光配向掩膜版修复方法

说明书

本发明提供了一种光配向掩膜版修复方法，涉及半导体技术领域，用于对损伤后的掩膜版进行修补。其中，本发明实施例提供的光配向掩膜版修复方法，包括：先对待修复掩膜版的损伤位置涂抹第一遮光色阻，然后，在预设温度环境中对所述待修复掩膜版进行加热，最后，对所述待修复掩膜版进行清洗，以形成修复后掩膜版。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光配向掩膜版修复方法。

背景技术

目前，半导体集成电路(IntegratedCircuit，简称IC)也即半导体芯片在制造过程中需经历材料制备、制版、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多道工序，其中尤以光刻工艺最为关键。光刻工艺决定着半导体芯片制造工艺的先进程度，正是由于光刻技术的巨大进步才将集成电路制造工艺从微米时期带入深亚微米时代，进而迈入纳米时代。光刻工艺需要一整套相互间能精确套准、具有特定几何图形的光蚀刻掩蔽模版，简称光刻掩膜版(Mask)、掩膜版或光罩。

光刻掩膜版实际上是光刻工艺中光致抗蚀剂(俗称光刻胶，也称光阻)层的“印相底片”，其上印制了原始集成电路设计版图的几何图形。也就是说，从原始集成电路设计版图到晶圆片上电路图形的形成，中间需要经过制版环节，也即需要制作一套其上印制着原始集成电路设计版图图案的光刻掩膜版作为“印相底片”。光刻工艺就是将该“印相底片”上的几何图形转印到晶圆片上，形成晶圆片上的电路图形。当光配向装置通过掩膜版对基板进行曝光时，生产过程中掩膜版与基板之间的距离极小，气浮或者PX轴的波动、基板的脏污等因素都极易造成掩膜版刮伤。

但是，掩膜版费用昂贵，采购周期较长，一旦掩膜版发生损伤，就会直接影响生产稼动。

发明内容

针对现有技术中的上述缺陷，本发明提供了一种光配向掩膜版修复方法，以对损伤后的掩膜版进行修补。

本发明第一个方面提供一种光配向掩膜版修复方法，包括：

对待修复掩膜版的损伤位置涂抹第一遮光色阻；

在预设温度环境中对所述待修复掩膜版进行加热；

对所述待修复掩膜版进行清洗，以形成修复后掩膜版。

在一种可能的设计中，在对所述待修复掩膜版进行清洗之前，还包括：

对所述修复后掩膜版进行表面高度测量，以获取最大高度差以及平整度；

确定所述最大高度差小于预设高度差阈值，所述平整度小于预设平整度阈值。

在一种可能的设计中，所述预设高度差阈值为5微米，所述预设平整度阈值为2％。

在一种可能的设计中，在所述对所述待修复掩膜版进行清洗之后，还包括：

对所述修复后掩膜版进行透光测试，确定所述损伤位置在修补后无透光。

在一种可能的设计中，在所述确定所述损伤位置修补后无透光之后，还包括：

利用所述修复后掩膜版对预设数量的基板进行曝光，并统计良率；

当所述良率满足预设良率条件时，将所述修复后掩膜版投入生产。

在一种可能的设计中，所述利用所述修复后掩膜版对预设数量的基板进行曝光，并统计良率，包括：

利用所述修复后掩膜版对第一数量的基板进行曝光，并统计第一良率；

利用所述修复后掩膜版对第二数量的基板进行曝光，并统计第二良率；

利用所述修复后掩膜版对第三数量的基板进行曝光，并统计第三良率；

其中，所述第一数量小于所述第二数量，所述第二数量小于所述第三数量。