[发明专利]具有三个材料移除阶段的工件分离

权利要求书

1.一种通过将晶片分离成电子管芯来制造电子管芯的方法，所述方法包括：

• 利用具有第一厚度的第一材料移除工具来在晶片中形成凹槽；

• 通过具有比第一厚度更大的第二厚度的第二材料移除工具来扩大凹槽；

• 随后通过具有比第二厚度更小的第三厚度的第三材料移除工具来增大凹槽的深度直到晶片被分离为止。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法包括：

• 利用第一材料移除工具在晶片中形成另外的凹槽，所述另外的凹槽沿着关于所述凹槽的延伸成角度的方向延伸；

• 通过第二材料移除工具来扩大所述另外的凹槽；

• 随后通过第三材料移除工具来增大所述另外的凹槽的深度直到晶片在所述另外的凹槽处被分离为止。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述方法包括在形成凹槽之后并且在凹槽处分离晶片之前实施以下各项中的至少一个：形成所述另外的凹槽，扩大所述另外的凹槽，以及在所述另外的凹槽处分离晶片。

4.根据权利要求1所述的方法，其中第三厚度大于、小于或等于第一厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括通过第二材料移除工具来完成至少一个测试结构、特别是工艺控制监控测试结构和可靠性控制监控测试结构中的至少一个的移除。

6.根据权利要求1所述的方法，其中第一厚度和第三厚度中的至少一个在20μm和60μm之间的范围中、特别是在30μm和50μm之间的范围中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中第二厚度在60μm和150μm之间的范围中、特别是在70μm和120μm之间的范围中。

8.根据权利要求1所述的方法，其中第二厚度与第一厚度和第三厚度之一之间的比在1.1和4之间的范围中、特别是在1.5和3之间的范围中。

9.根据权利要求1所述的方法，其中第一材料移除工具延伸直到的凹槽的深度在晶片的整个厚度的10%和40%之间的范围中，特别是在所述整个厚度的20%和30%之间的范围中。

10.根据权利要求1所述的方法，其中第二材料移除工具延伸直到的凹槽的深度在晶片的整个厚度的60%和90%之间的范围中，特别是在所述整个厚度的70%和80%之间的范围中。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括在分离之前将载体附接到晶片的主表面，其中特别地，在通过第三材料移除工具进一步增大凹槽的深度期间，第三材料移除工具延伸到载体中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中第一材料移除工具、第二材料移除工具和第三材料移除工具中的至少一个是锯片。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片在分离的时候未经密封。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括使用第一材料移除工具作为第三材料移除工具。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括使用不同的工具作为第一材料移除工具和第三材料移除工具。

16.根据权利要求1所述的方法，其中扩大包括加宽凹槽，特别是加宽并加深凹槽。