[发明专利]具有三个材料移除阶段的工件分离在审

专利信息
申请号: 201910011521.X 申请日: 2019-01-07
公开(公告)号: CN110047802A 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: C.坎泽德;A.鲍尔;T.菲舍尔;F.马里亚尼 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/67
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 陈晓;申屠伟进
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 材料移除 电子管 移除工具 第二材料 第一材料 晶片分离 晶片 制造
【说明书】:

发明公开了具有三个材料移除阶段的工件分离。一种通过将晶片分离成电子管芯来制造电子管芯的方法,其中所述方法包括:利用具有第一厚度的第一材料移除工具来在晶片中形成凹槽,通过具有比第一厚度更大的第二厚度的第二材料移除工具来扩大凹槽,以及随后通过具有比第二厚度更小的第三厚度的第三材料移除工具来增大凹槽的深度直到晶片被分离为止。

技术领域

本发明涉及一种通过将晶片分离成电子管芯来制造电子管芯的方法,一种用于对管芯切单(singulate)的方法,一种将工件分离成分离的区段的方法,以及一种用于将晶片分离成电子管芯的装置。

背景技术

封装可以被表示为具有电连接部的经密封的电子管芯,所述电连接部从密封剂延伸出去并且被装配到电子外围,例如装配在印刷电路板上。在封装电子管芯之前,半导体晶片被单一化(singularize)成多个电子管芯。电子管芯中的一个或多个然后可以被密封在封装的密封剂中。

半导体晶片的单一化在许多情况中通过将晶片机械地锯切成分离的电子管芯来被实现。然而,这可能常规地牵涉诸如以下各项之类的问题:在晶片的前侧、侧壁或背侧上的层的层离(delamination)、剥落(chipping)、或裂缝生成。对应的分离人工产物(artefact)可降低所制造的管芯的可靠性。

发明内容

可存在对于在强烈抑制分离人工产物的情况下可靠地分离工件的需要。

根据示例性实施例,提供了一种通过将晶片分离成电子管芯来制造电子管芯的方法,其中所述方法包括:利用具有第一厚度的第一(例如机械)材料移除工具而在晶片中形成凹槽,通过具有比第一厚度更大的第二厚度的第二(例如机械)材料移除工具来扩大凹槽,以及随后通过具有比第二厚度更小的第三厚度的第三(例如机械)材料移除工具来增大凹槽的深度直到晶片被分离(特别是在凹槽处)为止。

根据另一示例性实施例,提供了一种用于将晶片分离成电子管芯的装置(其可以例如是用以处理晶片的一个单个的机器或者两个或更多不同机器的组合),所述装置包括:具有第一厚度并且被配置用于在晶片中形成凹槽的第一(例如机械)材料移除工具,具有比第一厚度更大的第二厚度并且被配置用于增大凹槽的宽度的第二(例如机械)材料移除工具,以及具有比第二厚度更小的第三厚度并且被配置用于进一步增大凹槽的深度直到晶片被分离为止的第三(例如机械)材料移除工具。

根据仍另一示例性实施例,提供了一种用于将工件切单成区段的方法,其中所述方法包括:通过使用具有第一厚度的第一锯片来在工件中形成凹槽,通过使用具有第二厚度的第二锯片来(可选地加深和)加宽所述凹槽,其中所述第二厚度大于所述第一厚度,以及通过使用具有第三厚度的第三锯片来进一步加深经加宽的凹槽,其中所述第三厚度小于所述第二厚度。

根据仍另一示例性实施例,提供了一种将工件分离成分离的区段的方法,其中所述方法包括:在工件中形成凹槽直到第一深度并且具有第一宽度,随后利用比第一宽度更大的第二宽度来加宽凹槽(并且可选地加深凹槽直到第二深度),以及随后进一步加深凹槽直到工件被分离成分离的区段为止(特别是使得结果得到的开口(cut-out,或间隙)在第二深度以下的工件部分中具有一部分,其带有小于的第二宽度的第三宽度)。

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