[发明专利]晶圆组件及其制作方法在审
申请号: | 201910013039.X | 申请日: | 2019-01-07 |
公开(公告)号: | CN111415898A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 李秉隆 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 及其 制作方法 | ||
1.一种晶圆组件,其特征在于,所述晶圆组件包括:
晶圆;
支撑环,贴置于所述晶圆的背面边缘区域。
2.根据权利要求1所述的晶圆组件,其特征在于:所述支撑环包括玻璃支撑环、硅支撑环或钢圈。
3.根据权利要求1所述的晶圆组件,其特征在于:所述支撑环包括圆形支撑环,所述支撑环的外径小于等于所述晶圆的直径。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶圆组件,其特征在于:所述晶圆组件还包括:
支撑框架,位于所述晶圆的外围;
切割胶带,贴置于所述晶圆的背面、所述支撑环上及所述支撑框架上,以将所述晶圆及所述支撑环固定于所述支撑框架上。
5.一种晶圆组件的制作方法,其特征在于,所述晶圆的制作方法包括步骤:
1)提供一支撑基底;
2)提供一晶圆,将所述晶圆正面朝下贴置于所述支撑基底的上表面;
3)提供一支撑环,将所述支撑环贴置于所述晶圆的背面边缘区域;
4)去除所述支撑基底。
6.根据权利要求5所述的晶圆组件的制作方法,其特征在于:步骤1)中提供的所述支撑基底包括玻璃基底。
7.根据权利要求5所述的晶圆组件的制作方法,其特征在于:步骤2)与步骤3)之间还包括对所述晶圆的背面进行减薄处理的步骤。
8.根据权利要求5所述的晶圆组件的制作方法,其特征在于:步骤3)中提供的所述支撑环包括玻璃支撑环、硅支撑环或钢圈。
9.根据权利要求5所述的晶圆组件的制作方法,其特征在于:步骤3)中提供的所述支撑环包括圆形支撑环,所述支撑环的外径小于等于所述晶圆的直径。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的晶圆组件的制作方法,其特征在于:步骤4)后还包括如下步骤:
5)提供切割胶带及支撑框架;
6)将步骤4)所得结构置于所述支撑框架的内侧,并使用所述切割胶带将步骤4)所得结构固定于所述支撑框架上。
11.根据权利要求10所述的晶圆组件的制作方法,其特征在于:步骤4)与步骤5)之间还包括对所述晶圆进行电性测试的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造