[发明专利]晶圆组件及其制作方法

说明书

本发明提供一种晶圆组件及其制作方法，晶圆组件包括：晶圆；支撑环，贴置于所述晶圆的背面边缘区域。本发明通过在晶圆的背面贴置支撑环，使得晶圆组件中对应于晶圆边缘区域的厚度大于对应于晶圆中心区域的厚度，可以实现对晶圆正面及背面的测试点进行检测；本发明的支撑环可以防止在制造、搬运及检测时晶圆发生形变和破裂；本发明的晶圆组件结构简单、成本较低。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种晶圆组件及其制作方法。

背景技术

在现有半导体工艺中，在对晶圆(wafer)进行加工制备完成后需要对晶圆进行电性测试等，而目前，很多晶圆的正面和背面均有测试点，在进行测试时需要晶圆的正面和背面的测试点均裸露在外。此时，均需要使用Taiko wafer以达到晶圆的传输强度及测试要求；Taiko wafer的特点为：仅将晶圆的中心部分研磨去除，而在晶圆的边缘保留有3mm～mm的区域不做研磨，从而在晶圆边缘形成一个比晶圆的器件区域(即研磨去除的中心部分)的厚度要厚得多的支撑环。然而，制备Taiko wafer的设备昂贵，Takio wafer的成本较高，从而造成生产成本较高。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆组件及其制作方法，用于解决现有技术中对晶圆正面及背面的测试点进行测试时需要使用Taiko wafer而导致的生产成本较高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆组件，所述晶圆组件包括：

晶圆；

支撑环，贴置于所述晶圆的背面边缘区域。

可选地，所述支撑环包括玻璃支撑环、硅支撑环或钢圈。

可选地，所述支撑环包括圆形支撑环，所述支撑环的外径小于等于所述晶圆的直径。

可选地，所述晶圆组件还包括：

支撑框架，位于所述晶圆的外围；

切割胶带，贴置于所述晶圆的背面、所述支撑环上及所述支撑框架上，以将所述晶圆及所述支撑环固定于所述支撑框架上。

本发明还提供一种晶圆组件的制作方法，所述晶圆的制作方法包括步骤：

1)提供一支撑基底；

2)提供一晶圆，将所述晶圆正面朝下贴置于所述支撑基底的上表面；

3)提供一支撑环，将所述支撑环贴置于所述晶圆的背面边缘区域；

4)去除所述支撑基底。

可选地，步骤1)中提供的所述支撑基底包括玻璃基底。

可选地，步骤2)与步骤3)之间还包括对所述晶圆的背面进行减薄处理的步骤。

可选地，步骤3)中提供的所述支撑环包括玻璃支撑环、硅支撑环或钢圈。

可选地，步骤3)中提供的所述支撑环包括圆形支撑环，所述支撑环的外径小于等于所述晶圆的直径。

可选地，步骤4)后还包括如下步骤：

5)提供切割胶带及支撑框架；

6)将步骤4)所得结构置于所述支撑框架的内侧，并使用所述切割胶带将步骤4)所得结构固定于所述支撑框架上。

可选地，步骤4)与步骤5)之间还包括对所述晶圆进行电性测试的步骤。

如上所述，本发明的晶圆组件及其制作方法，具有以下有益效果：