[发明专利]多芯片封装功率模块

说明书

本发明提供一种多芯片封装功率模块，其包括：多个芯片，包括相邻设置的第一芯片和第二芯片；第一导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间；以及第二导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间，其中，所述第一导电件电连接所述第一芯片的功率端，所述第二导电件电连接所述第二芯片的功率端，且所述多个芯片、所述第一导电件和所述第二导电件均埋设于绝缘封装料中。本发明提供的多芯片封装功率模块，芯片的功率输出电流可以直接通过导电件从相对的两侧引出，使得路径对称，从而减少电路阻抗，提升效率和输出电流的能力。

技术领域

本发明涉及一种多芯片封装功率模块，属于电子电力技术领域。

背景技术

随着集成电路可实现功能的增加，其功耗也越来越大，从而也就需要功率模块具有更高的功率密度或者使单个功率模块具有更大的电流输出能力。在现有技术中一般会采用多芯片封装的方式来提升单个功率模块的电流输出能力。然而现有的多芯片封装模式，功率电流传输到芯片两侧的路径长度不同，导致二者具有不同的阻抗，严重影响了功率模块的电流输出能力。

发明内容

本发明提供一种多芯片封装功率模块，以解决现有技术存在的上述或者其他潜在技术问题。

根据本发明的一些实施例，提供一种多芯片封装功率模块，包括：多个芯片，包括相邻设置的第一芯片和第二芯片；第一导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间；以及第二导电件，至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间，其中，所述第一导电件电连接所述第一芯片的功率端，所述第二导电件电连接所述第二芯片的功率端，且所述多个芯片、所述第一导电件和所述第二导电件均埋设于绝缘封装料中。

如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括：第一连接线和第二连接线，设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第一侧；以及第一引线和第二引线，设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第二侧，其中，所述第二侧与所述第一侧相对；其中，所述第一导电件的第一端与所述第一连接线电连接，所述第一导电件的第二端与所述第一引线电连接，所述第二导电件的第一端与所述第二连接线电连接，所述第二导电件的第二端与所述第二引线电连接。

如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一连接线电连接所述第一芯片的第一功率端和所述第二芯片的第一功率端，所述第二连接线电连接所述第一芯片的第二功率端和所述第二芯片的第二功率端。

如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括第一导电体和第二导电体，均设置于所述第一芯片和所述第二芯片的周边，其中，所述第一导电体的一端与所述第一引线电连接，所述第二导电体的一端与所述第二引线电连接。

如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一导电体的另一端与所述第一芯片的第一功率端和所述第二芯片的第一功率端电连接；所述第二导电体的另一端与所述第一芯片的第二功率端和所述第二芯片的第二功率端电连接。

如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括第三连接线和第四连接线，设置于所述第一芯片和所述第二芯片的第一侧，所述第一导电体通过所述第三连接线电连接至所述第一芯片的第一功率端和所述第二芯片的第一功率端，所述第二导电体通过所述第四连接线电连接至所述第一芯片的第二功率端和所述第二芯片的第二功率端。

如上所述的多芯片封装功率模块，其中，还包括：第一焊盘，设置于所述第一芯片的第一侧，所述第一焊盘电连接所述第一芯片的第三功率端；以及第二焊盘，设置于所述第二芯片的第一侧，所述第二焊盘电连接所述第二芯片的第三功率端。

如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一芯片和所述第二芯片沿第一方向并排设置，所述第一导电件和所述第二导电件沿竖直于所述第一方向的第二方向并排设置。

如上所述的多芯片封装功率模块，其中，所述第一导电件和所述第二导电件均为多个，多个所述第一导电件和多个所述第二导电件沿所述第二方向交替设置。