[发明专利]一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺

权利要求书

1.一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1：对硅化腐片进行涂蜡操作，得到涂蜡硅片；

步骤2：对涂蜡硅片按照粗抛光、第一次精抛光、第二次精抛光的顺序进行抛光，得到抛光硅片；

步骤3：对抛光硅片进行去蜡清洗，得到硅抛光片。

2.根据权利要求1所述的一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：粗抛光步骤中，采用粗抛布，稀释的粗抛液，流量为8-12L/min，抛光压力为250-400g/cm²，抛光机定盘转速为20-40rpm，抛光时间为10-14min；优选的，粗抛光步骤中，采用粗抛布，稀释的粗抛液，流量为9.5-10.5L/min，抛光压力为300g/cm²，抛光机定盘转速为35rpm，抛光时间为12min。

3.根据权利要求2所述的一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：稀释的粗抛液为通过纯水稀释粗抛液，稀释比例为1:20-1:40；优选的，稀释的粗抛液为通过纯水稀释粗抛液，稀释比例为1：30。

4.根据权利要求1所述的一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：第一次精抛光步骤中，采用精抛布，稀释的精抛液，流量为1-4L/min，抛光压力为100-300g/cm²，抛光机定盘转速为20-40rpm，抛光时间为7-10min；优选的，第一次精抛光步骤中，采用精抛布，稀释的精抛液，流量为2.5-3.5L/min，抛光压力为200g/cm²，抛光机定盘转速为25rpm，抛光时间为8min。

5.权利要求4所述的一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：第二次精抛光步骤中，采用精抛布，稀释的精抛液，流量为1-4L/min，抛光压力为50-200g/cm²，抛光机定盘转速为20-40rpm，抛光时间为7-10min；优选的，第二次精抛光步骤中，采用精抛布，稀释的精抛液，流量为2.5-3.5L/min，抛光压力为100g/cm²，抛光机定盘转速为25rpm，抛光时间为8min。

6.根据权利要求5所述的一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：稀释的精抛液为通过纯水稀释精抛液，稀释比例为1:20-1:40；优选的，稀释的精抛液为通过纯水稀释精抛液，稀释比例为1：30。

7.根据权利要求1所述的一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：去蜡清洗步骤依次顺序包括：SC-1清洗、纯水清洗、SC-1清洗、纯水清洗、纯水清洗、SC-2清洗、纯水清洗、纯水清洗、IR烘干。

8.权利要求7所述的一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：其中SC-1清洗，清洗温度为50℃，清洗时间为5min，SC-1药液包括如下体积比例的组分：氨水：双氧水：纯水＝1：1：30，其中氨水浓度为28-30％，双氧水浓度为30-32％，纯水电阻率>18MΩ.CM；优选的，其中SC-2清洗，清洗温度为常温，清洗时间为5min，SC-2药液包括如下体积比例的组分：盐酸：双氧水：纯水＝1：1：25，其中盐酸浓度为36-38％，双氧水浓度为30-32％，纯水电阻率>18MΩ.CM。

9.根据权利要求1所述的一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：得到的硅抛光片，表面粗糙度小于0.0001um；优选的，抛光去除量为18-20um。

10.一种根据权利要求1-9任一项所述的降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺应用，其特征在于：应用于功率器件、集成电路器件、分立器件、IGBT器件的单晶硅抛光片的抛光加工中。