[发明专利]一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺

说明书

本发明提供了一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，其抛光工艺包括如下步骤：对硅化腐片进行涂蜡操作，得到涂蜡硅片；对涂蜡硅片按照粗抛光、第一次精抛光、第二次精抛光的顺序进行抛光，得到抛光硅片；对抛光硅片进行去蜡清洗，得到硅抛光片。本发明克服现有技术的不足，降低抛光片表面粗糙度，粗糙度可降低到0.0001um以下。

技术领域

本发明属于硅抛光片生产领域，尤其是涉及一种8英寸硅抛光片表面抛光工艺。

背景技术

近年来，随着半导体行业的高速发展和激烈的市场竞争，半导体器件的集成度不断提高，线宽尺寸不断缩小，对原始硅材料和工艺质量的控制的要求也越来越苛刻；随着硅材料直径变大而硅片表面平整度、微粗糙度等控制的范围将越来越小，这就要求半导体器件所用衬底材料的硅抛光片在该技术指标上具有较高的水平，而目前国内在硅抛光片表面粗糙度的控制上与国际先进水平还有一定差距，亟待提高。

表面粗糙度主要产生于硅片抛光和抛光片清洗过程中，因此抛光及清洗工艺就是制备低粗糙度硅抛光片的关键。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺及其应用，克服现有技术的不足，降低抛光片表面粗糙度，粗糙度可降低到0.0001um以下。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种降低8英寸硅抛光片表面粗糙度的抛光工艺，包括如下步骤：

步骤1：对硅化腐片进行涂蜡操作，得到涂蜡硅片；

步骤2：对涂蜡硅片按照粗抛光、第一次精抛光、第二次精抛光的顺序进行抛光，得到抛光硅片；

步骤3：对抛光硅片进行去蜡清洗，得到硅抛光片。

优选的，粗抛光步骤中，采用粗抛布，稀释的粗抛液，流量为8-12L/min，抛光压力为250-400g/cm²，抛光机定盘转速为20-40rpm，抛光时间为10-14min；优选的，粗抛光步骤中，采用粗抛布，稀释的粗抛液，流量为9.5-10.5L/min，抛光压力为300g/cm²，抛光机定盘转速为35rpm，抛光时间为12min。

优选的，稀释的粗抛液为通过纯水稀释粗抛液，稀释比例为1:20-1:40；优选的，稀释的粗抛液为通过纯水稀释粗抛液，稀释比例为1：30。

优选的，第一次精抛光步骤中，采用精抛布，稀释的精抛液，流量为1-4L/min，抛光压力为100-300g/cm²，抛光机定盘转速为20-40rpm，抛光时间为7-10min；优选的，第一次精抛光步骤中，采用精抛布，稀释的精抛液，流量为2.5-3.5L/min，抛光压力为200g/cm²，抛光机定盘转速为25rpm，抛光时间为8min。

优选的，第二次精抛光步骤中，采用精抛布，稀释的精抛液，流量为1-4L/min，抛光压力为50-200g/cm²，抛光机定盘转速为20-40rpm，抛光时间为7-10min；优选的，第二次精抛光步骤中，采用精抛布，稀释的精抛液，流量为2.5-3.5L/min，抛光压力为100g/cm²，抛光机定盘转速为25rpm，抛光时间为8min。

优选的，稀释的精抛液为通过纯水稀释精抛液，稀释比例为1:20-1:40；优选的，稀释的精抛液为通过纯水稀释精抛液，稀释比例为1：30。

优选的，去蜡清洗步骤依次顺序包括：SC-1清洗、纯水清洗、SC-1清洗、纯水清洗、纯水清洗、SC-2清洗、纯水清洗、纯水清洗、IR烘干。