[发明专利]化学机械研磨方法

说明书

本发明提供一种化学机械研磨方法，包括步骤：提供研磨装置，所述研磨装置上具有研磨垫、研磨头和调整头，所述研磨头装载有待研磨晶圆；对所述待研磨晶圆进行至少一次第一次研磨，所述第一次研磨过程中所述研磨头采用第一研磨路径，所述调整头采用第一调整路径；在各次所述第一次研磨后，对所述待研磨晶圆进行第二次研磨，所述第二次研磨过程中所述研磨头采用第二研磨路径，所述调整头采用第二调整路径。本发明避免通过化学机械研磨后仍在晶圆表面留有标记残留或者边缘残留的问题，以保证晶圆表面的清洁度和平整度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨方法。

背景技术

在半导体工艺中，于晶圆上加工制作各种电路元件结构，而使晶圆成为有特定电性功能之IC产品。对于计算机产品而言，晶圆的品质影响着整个计算机的性能。

目前，在半导体产品制造过程中，晶圆是当前集成电路的基础半成品，晶圆加工处理的好坏直接影响半导体成品的质量。在晶圆的加工过程中，需要对晶圆表面进行研磨，从而去除晶圆表面的标记残留或者是边缘残留等。

化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺为一种重要的表面平坦化技术。化学机械研磨工艺综合了化学研磨和机械研磨的优势，可以保证晶圆表面残留的去除效率，同时获得较完美的晶圆表面，且晶圆表面平整度较高。

如何基于化学机械研磨方法去除晶圆表面的标记残留或者边缘残留，以保证晶圆表面的平整度以及晶圆表面残留的去除效率，这是目前急需解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种化学机械研磨方法，避免通过化学机械研磨后仍在晶圆表面留有标记残留或者边缘残留，以保证晶圆表面的清洁度和平整度。

为解决上述问题，本发明提供化学机械研磨方法，包括步骤：提供研磨装置，所述研磨装置上具有研磨垫、研磨头和调整头，所述研磨头装载有待研磨晶圆；对所述待研磨晶圆进行至少一次第一次研磨，所述第一次研磨过程中所述研磨头采用第一研磨路径，所述调整头采用第一调整路径；在各次所述第一次研磨后，对所述待研磨晶圆进行第二次研磨，所述第二次研磨过程中所述研磨头采用第二研磨路径，所述调整头采用第二调整路径。

可选的，所述第一研磨路径为研磨点一至研磨点二之间的运动路径；所述研磨点一是所述研磨头中心到所述研磨垫中心距离2.105-2.705英寸之间的点；所述研磨点二是所述研磨头中心到所述研磨垫中心距离5.500-6.050英寸之间的点。

可选的，所述第一研磨路径中，所述研磨头与所述研磨垫之间的压力为4.5-4.8psi，所述研磨头的转速为25-35rpm，所述研磨头的运动时间为60-65秒。

可选的，所述第二研磨路径为研磨点三至研磨点四之间的运动路径，所述研磨点三是所述研磨头中心到所述研磨垫中心距离2.105-2.705英寸之间的点；研磨点四是所述研磨头中心到所述研磨垫中心距离4.350-4.850英寸之间的点。

可选的，所述第二研磨路径中，所述研磨头与所述研磨垫之间的压力为4.8-5.0psi，所述研磨头的转速为30-35rpm，所述研磨头的运动时间为20-25秒。

可选的，所述调整头上有连接杆，所述连接杆带着所述调整头在研磨垫采用第一调整路径和第二调整路径做调整运动。

可选的，所述第一调整路径中，所述连接杆的起始位置与所述连接杆的终点位置之间的夹角40°-45°。

可选的，所述第一调整路径中，所述调整头与所述研磨垫之间的压力为4.85-5.15psi，所述调整头的转速为30-35rpm，所述连接杆的运动时间为15-20秒。

可选的，所述第二调整路径中，所述连接杆的起始位置与所述连接杆的终点位置之间的夹角15°-20°。