[发明专利]光掩膜以及光刻光学式叠对标记测量方法

权利要求书

1.一种光掩膜，所述光掩膜呈矩形，其特征在于，包括：

斜向单元掩膜图案，位于所述光掩膜上，与所述光掩膜的任意一边均不平行；

斜向叠对掩膜标记，位于所述光掩膜上，与所述光掩膜的任意一边均不平行。

2.根据权利要求1所述的光掩膜，其特征在于，

所述斜向单元掩膜图案与所述斜向叠对掩膜标记平行。

3.根据权利要求1所述的光掩膜，其特征在于，

所述光掩膜呈正方形。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的光掩膜，其特征在于，

所述光掩膜包括多个所述斜向单元掩膜图案以及多个所述斜向叠对掩膜标记。

5.根据权利要求4所述的光掩膜，其特征在于，

所述多个斜向单元掩膜图案的数量与所述多个斜向叠对掩膜标记的数量相等，并且所述多个斜向单元掩膜图案与所述多个斜向叠对掩膜标记呈一对一平行关系。

6.一种光刻光学式叠对标记测量方法，其特征在于，具有下述步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成先前层，所述先前层具有斜向叠对标记和单元图案；

采用权利要求1-5中任意一项所述的光掩膜，在所述半导体衬底的当前层形成斜向单元图案和斜向叠对标记；

采用光学量测方法测量所述当前层的所述斜向叠对标记相对于所述先前层的斜向叠对标记的叠对偏移量；以及

根据所述叠对偏移量，将所述当前层的斜向单元图案相对于所述先前层的单元图案进行对准补偿。

7.根据权利要求6所述的光刻光学式叠对标记测量方法，其特征在于，所述先前层的单元图案包括斜向单元图案。

8.根据权利要求6所述的光刻光学式叠对标记测量方法，其特征在于，

采用光学量测方法计算所述当前层的所述斜向叠对标记相对于先前层的斜向叠对标记的叠对偏移量包括：

以所述当前层的所述斜向叠对标记的方向为基准，建立直角坐标系，计算所述当前层的所述斜向叠对标记相对于所述先前层的斜向叠对标记的第一叠对偏移量。

9.根据权利要求8所述的光刻光学式叠对标记测量方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所述当前层的多个所述斜向叠对标记的方向建立多个直角坐标系，计算出多个所述偏移量；

根据所述多个偏移量的组合，将所述当前层的斜向单元图案相对于先前层的单元图案进行对准补偿。

10.根据权利要求6所述的光刻光学式叠对标记测量方法，其特征在于，所述方法还包括：

在半导体衬底的所述当前层上形成后续层，并在所述后续层中形成斜向叠对标记和单元图案；

以所述当前层的所述斜向叠对标记的方向为基准，建立直角坐标系，计算所述后续层的斜向叠对标记相对于所述当前层的所述斜向叠对标记的第二叠对偏移量；以及

根据所述第二叠对偏移量，将所述后续层的单元图案相对于所述当前层的斜向单元图案进行对准补偿。

11.根据权利要求10所述的光刻光学式叠对标记测量方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所述当前层的多个所述斜向叠对标记的方向建立多个直角坐标系，计算出多个第二叠对偏移量；

根据所述多个第二叠对偏移量的组合，将所述后续层的单元图案相对于所述当前层的斜向单元图案进行对准补偿。

12.根据权利要求10所述的光刻光学式叠对标记测量方法,所述后续层的单元图案包括斜向单元图案。