[发明专利]一种基于反应磁控溅射技术制备高熵合金涂层的方法有效
申请号: | 201910017536.7 | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN109402578B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 卢金斌;马振武;冯杰;殷振;吴永忠 | 申请(专利权)人: | 苏州科技大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 反应 磁控溅射 技术 制备 合金 涂层 方法 | ||
1.一种基于反应磁控溅射技术制备高熵合金涂层的方法,其特征在于,所述的制作方法包括下述工艺步骤:
步骤一、对预涂工件表面进行预处理,即用砂轮或砂纸打磨表面进行除锈、除毛刺和飞边,用丙酮清除表面的油污;
步骤二、将单质金属粉Cr、Cu、Fe、Ni、Al按一定比例采用球磨混合工艺进行合金化,再用加压烧结制成高熵合金靶,其中单质金属粉Cr、Cu、Fe、Ni、Al,其纯度为99.5~100%,粉末粒径为30~120μm;Cr、Cu、Fe、Ni、Al的质量比为1~1.1:1.2~1.3:1.2~1.4:1.3~1.5:0.5~0.6;加压烧结的工艺为:在氩气保护下的加压烧结炉中加压200~350MPa,烧结温度范围为950~1070℃,保温2~8分钟;
步骤三、将高熵合金靶置于磁控溅射设备的直流阴极上,关闭磁控溅射设备的真空室,先抽真空并充氩气后进行离子清洗,具体工艺为:将磁控溅射设备的真空室抽真空至2.1×10-2Pa~2×10-3Pa,通入Ar气调节气体流量计的流量,使气压稳定在1~6Pa范围内,并打开负偏压电源,将负偏压调至450~900V范围,对预涂工件进行离子轰击辉光清洗,清洗时间10~20分钟;
步骤四、清洗完毕后启动磁控溅射设备的加热器,对预涂工件加热,进行反应磁控溅射,具体工艺为:磁控溅射设备真空室先通入10~45升/分的氩气和氮气混合气,其中氩气:氮气的流量比为1:2.1~3.2,工作气压保持在0.3~4.5Pa,靶间距保持在30~65mm之间,保持预涂工件温度在190~210℃、基体偏压为0.3~0.4kV、溅射电流为0.1~0.75A下进行反应磁控溅射,控制溅射时间5~36分钟;
步骤五、反应磁控溅射完毕即得到AlN、CrN增强的AlCrCuFeNi高熵合金涂层。
2.根据权利要求1所述的一种基于反应磁控溅射技术制备高熵合金涂层的方法,其特征在于:所述的预涂工件的材料为钢。
3.根据权利要求1所述的一种基于反应磁控溅射技术制备高熵合金涂层的方法,其特征在于:所述的球磨混合是采用钢制球磨罐进行球磨混合,其中的磨球与金属粉质量比为2.6~3∶1,密封后打开真空阀抽真空20~30分钟,然后将钢制球磨罐放入行星式球磨机,转速为260~320r/min,倒向频率35~45Hz,球磨混料时间为60~80分钟。
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