[发明专利]孔径校准方法及多带电粒子束描绘装置

说明书

本实施方式的孔径校准方法具备，使用消隐孔径阵列来切换多束的各束的开启/关断的工序；及使用检测器来检测工作台上的束电流的工序。将多束中的一部分束设为开启，对上述消隐孔径阵列进行扫描，根据基于上述检测器的上述束电流的检测结果及上述消隐孔径阵列的位置，制作电流量图。切换设为开启的束，按每个开启束制作上述电流量图。根据每个上述开启束的电流量图，调整上述消隐孔径阵列的位置。

技术领域

本发明涉及孔径校准方法及多带电粒子束描绘装置。

背景技术

伴随着LSI的高集成化，半导体器件所要求的电路线宽逐年微细化。为了对半导体器件形成所期望的电路图案，采用了使用缩小投影式曝光装置，将在石英上所形成的高精度的原图图案(掩模、或者尤其在步进曝光装置、扫描器中使用的原图图案也被称为中间掩模。)缩小转印到晶片上的方法。高精度的原图图案通过电子束描绘装置来描绘，并使用所谓的电子束光刻技术。

使用了多束的描绘装置，与用1根电子束进行描绘的情况相比，一次能够照射较多的束，所以能够使生产率大幅提高。在作为多束描绘装置的一个形态的使用了消隐孔径阵列的多束描绘装置中，例如，使从1个电子枪放出的电子束通过具有多个开口的成形孔径阵列而形成多束(多个电子束)。多束在消隐孔径阵列的各个对应的消隐器内通过。

消隐孔径阵列具有用于使束独立地偏转的电极对及位于其间的束通过用的开口，通过将电极对(消隐器)中的一方固定在接地电位并将另一方切换为接地电位和接地电位以外的电位，从而分别独立地进行通过的电子束的消隐偏转。在消隐器的作用下进行了偏转的电子束被遮蔽，未被偏转的电子束照射到试样上。

在以往的多束描绘装置中，由于将孔径向装置安装时的高度方向的位置偏移、倾斜、变形等，通过成形孔径阵列形成的多束中的一部分束并不在消隐孔径阵列的开口通过，而存在应该成像在试样面上的束阵列的一部分可能缺失的问题。

发明内容

本发明提供进行消隐孔径阵列的校准(对位)以使得多束在消隐孔径阵列的开口通过的孔径校准方法及多带电粒子束描绘装置。

本发明的一个形态的孔径校准方法，具备：放出带电粒子束的工序；使上述带电粒子束在成形孔径阵列的多个开口通过从而形成多束的工序；使用配置成消隐孔径阵列的多个消隐器，进行切换上述多束中的各个对应的束的开启/关断的消隐偏转的工序；以及使用在能够载置基板的工作台上所设置的检测器，检测该工作台上的束电流的工序，将上述多束中的一部分束设为开启，对上述消隐孔径阵列进行扫描，并根据基于上述检测器的上述束电流的检测结果及上述消隐孔径阵列的位置，制作电流量图，切换设为开启的束，并按每个开启束制作上述电流量图，根据每个上述开启束的电流量图，调整上述消隐孔径阵列的位置。

附图说明

图1是本发明的实施方式的多带电粒子束描绘装置的概略图。

图2是成形孔径阵列的示意图。

图3(a)、图3(b)是表示消隐孔径阵列上的束扫描例的图。

图4是表示电流检测结果的例子的图。

图5(a)～图5(i)是表示开启束区域的例子的图。

图6是表示消隐孔径阵列的校准为理想的状态的情况下的电流检测结果的例子的图。

图7(a)是消隐孔径阵列的高度方向的位置偏移的情况下的描绘装置的示意图，图7(b)是表示电流检测结果的例子的图。

图8(a)是消隐孔径阵列的高度方向的位置发生偏移的情况下的描绘装置的示意图，图8(b)是表示电流检测结果的例子的图。

图9(a)是倾斜地安装的消隐孔径阵列的示意图，图9(b)是表示电流检测结果的例子的图。

图10是表示电流检测结果的例子的图。