[发明专利]一种支持列选结构的亚阈值10管存储单元

权利要求书

1.一种支持列选结构的亚阈值10管存储单元，其特征在于包括位线、反相位线、字线、PMOS上拉管对、第一反相器、第二反相器、读电路和写电路；

所述的PMOS上拉管对包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述的第一PMOS管的源极和所述的第二PMOS管的源极均接入电源，所述的第一PMOS管的漏极和所述的第二PMOS管的栅极连接且其连接端为所述的PMOS上拉管对的第一输出端，所述的第一PMOS管的栅极和所述的第二PMOS管的漏极连接且其连接端为所述的PMOS上拉管对的第二输出端；

所述的第一反相器包括第三PMOS管和第一NMOS管，所述的第三PMOS管的源极为所述的第一反相器的电源端，所述的第一反相器的电源端与所述的PMOS上拉管对的第一输出端连接且其连接端为所述的亚阈值10管存储单元的第一个堆叠节点，所述的第三PMOS管的栅极和所述的第一NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的第一反相器的输入端，所述的第三PMOS管的漏极和所述的第一NMOS管的漏极连接且其连极端为所述的第一反相器的输出端，所述的第一反相器的输出端为所述的亚阈值10管存储单元的第一个存储节点，所述的第一NMOS管的源极接地；

所述的第二反相器包括第四PMOS管和第二NMOS管，所述的第四PMOS管的源极为所述的第二反相器的电源端，所述的第二反相器的电源端与所述的PMOS上拉管对的第二输出端连接且其连接端为所述的亚阈值10管存储单元的第二个堆叠节点，所述的第四PMOS管的栅极和所述的第二NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的第二反相器的输入端，所述的第四PMOS管的漏极和所述的第二NMOS管的漏极连接且其连极端为所述的第二反相器的输出端，所述的第二反相器的输出端为所述的亚阈值10管存储单元的第二个存储节点，所述的第二NMOS管的源极接地；

所述的第二反相器的输入端与所述的亚阈值10管存储单元的第一个存储节点连接，所述的第一反相器的输入端与所述的亚阈值10管存储单元的第二个存储节点连接；

所述的读电路包括第三NMOS管和第四NMOS管，所述的第三NMOS管的栅极和所述的第四NMOS管的栅极均与所述的字线连接，所述的第三NMOS管的漏极和所述的亚阈值10管存储单元的第一个堆叠节点连接，所述的第三NMOS管的源极和所述的位线连接，所述的第四NMOS管的漏极和所述的亚阈值10管存储单元的第二个堆叠节点连接，所述的第四NMOS管的源极和所述的反相位线连接；

所述的写电路包括第五NMOS管和第六NMOS管，所述的第五NMOS管的栅极和所述的第一反相器的输入端连接，所述的第五NMOS管的漏极和所述的亚阈值10管存储单元的第一个堆叠节点连接，所述的第五NMOS管的源极接地，所述的第六NMOS管的栅极和所述的第二反相器的输入端连接，所述的第六NMOS管的漏极和所述的亚阈值10管存储单元的第二个堆叠节点连接，所述的第六NMOS管的源极接地。