[发明专利]一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法

权利要求书

1.一种纳米图案的拼接方法，其特征在于，包括：

压印区域界定步骤：在形成有第一膜层的衬底基板上形成第二膜层，对所述第二膜层进行构图，形成区域界定图案，其中，所述衬底基板上的未被所述区域界定图案覆盖的区域为待压印区域，被所述区域界定图案覆盖的区域为其他区域；

压印图案形成步骤：在所述衬底基板上形成压印胶层，采用压印母板对所述待压印区域和与所述待压印区域邻接的部分所述其他区域进行纳米压印，形成压印图案；

刻蚀步骤：以所述压印图案为掩膜，对所述待压印区域的所述第一膜层进行刻蚀，形成纳米图案；

去除步骤：采用刻蚀工艺，去除所述区域界定图案；

拼接步骤：重复执行所述压印区域界定步骤、所述压印图案形成步骤、所述刻蚀步骤和所述去除步骤，形成拼接的第一纳米图案。

2.如权利要求1所述的拼接方法，其特征在于，所述第二膜层采用不被所述刻蚀步骤中采用的刻蚀气氛影响的材料制成。

3.如权利要求2所述的拼接方法，其特征在于，所述刻蚀步骤中采用ICP刻蚀工艺进行刻蚀，所述刻蚀气氛为四氟化碳和氧气的混合气体，所述第二膜层采用ITO、IZO或金属制成。

4.如权利要求1所述的拼接方法，其特征在于，所述第二膜层的厚度为40至70纳米。

5.一种纳米压印板的制作方法，其特征在于，包括采用如权利要求1-4中任一项所述的纳米图案的拼接方法形成拼接的第一纳米图案的步骤。

6.一种光栅的制作方法，其特征在于，包括采用如权利要求1-4中任一项所述的纳米图案的拼接方法形成拼接的第一纳米图案的步骤。

7.如权利要求6所述的光栅的制作方法，其特征在于，所述第一膜层包括：从靠近所述衬底基板至远离所述衬底基板的方向上设置的金属层和无机材料层，所述第一纳米图案形成于所述无机材料层上；

所述拼接步骤之后还包括：

以所述第一纳米图案为硬掩膜，对所述金属层进行刻蚀，形成金属纳米图案。

8.一种纳米压印板，其特征在于，采用如权利要求5所述的纳米压印板的制作方法制作而成。

9.一种光栅，其特征在于，采用如权利要求6或7所述的光栅的制作方法制作而成。