[发明专利]一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法

说明书

本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法，涉及显示技术领域。纳米图案的拼接方法包括：压印区域界定步骤：在形成有第一膜层的衬底基板上形成第二膜层，对第二膜层进行构图，形成区域界定图案；压印图案形成步骤：形成压印胶层，对待压印区域和与待压印区域邻接的部分其他区域进行纳米压印，形成压印图案；刻蚀步骤：以压印图案为掩膜，对待压印区域的第一膜层进行刻蚀，形成纳米图案；去除步骤：采用刻蚀工艺，去除区域界定图案；拼接步骤：重复执行压印区域界定步骤、压印图案形成步骤、刻蚀步骤和去除步骤，形成拼接的第一纳米图案。从而，能形成精度高的纳米图案，制作出大尺寸的纳米图案，成本低廉，制作效率高。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法。

背景技术

近年来，纳米压印技术作为一种微纳加工技术，发展迅猛，该技术通过机械转移的手段，达到了超高的分辨率，有望在未来取代光刻技术而成为微电子、材料领域的重要加工手段。虽然电子束光刻技术可产生极高的分辨率图案，但生产效率极低，完成一块2cm*2cm区域的电子束曝光，所需时间最少也要17h，暂时无法取代纳米压印工艺。

然而，由于纳米压印技术对于压印母板的要求较高，且价格昂贵，母板的尺寸越大，价格也越贵。目前，制作母板的工艺主要包括：电子束曝光、刻蚀、转印、拼接和电铸等，工艺繁琐且成本高，而且，拼接精度只能达到微米级。也可以通过光刻工艺进行纳米图案的拼接，但在纳米图案的制作过程中需要一种水溶性材料，并且首先在该材料上形成纳米图案，然后在该材料上进行压印胶涂覆，最终将压印胶转移到通过光刻工艺完成压印区域界定的基板上，达到拼接目的。但是，需要进行水溶性材料以及与之匹配的压印材料的开发，成本高昂，而且，压印胶涂覆过程中，容易形成压印胶填充不良现象，最终导致纳米图案刻蚀不良。

因此，如何形成精度高的纳米图案，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法，以解决现有技术中，形成的纳米图案精度低的技术问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本发明提供一种纳米图案的拼接方法，包括：

压印区域界定步骤：在形成有第一膜层的衬底基板上形成第二膜层，对所述第二膜层进行构图，形成区域界定图案，其中，所述衬底基板上的未被所述区域界定图案覆盖的区域为待压印区域，被所述区域界定图案覆盖的区域为其他区域；

压印图案形成步骤：在所述衬底基板上形成压印胶层，采用压印母板对所述待压印区域和与所述待压印区域邻接的部分所述其他区域进行纳米压印，形成压印图案；

刻蚀步骤：以所述压印图案为掩膜，对所述待压印区域的所述第一膜层进行刻蚀，形成纳米图案；

去除步骤：采用刻蚀工艺，去除所述区域界定图案；

拼接步骤：重复执行所述压印区域界定步骤、所述压印图案形成步骤、所述刻蚀步骤和所述去除步骤，形成拼接的第一纳米图案。

优选的，所述第二膜层采用不被所述刻蚀步骤中采用的刻蚀气氛影响的材料制成。

优选的，所述刻蚀步骤中采用ICP刻蚀工艺进行刻蚀，所述刻蚀气氛为四氟化碳和氧气的混合气体，所述第二膜层采用ITO、IZO或金属制成。

优选的，所述第二膜层的厚度为40至70纳米。

第二方面，本发明还提供一种纳米压印板的制作方法，包括采用上述的纳米图案的拼接方法形成拼接的第一纳米图案的步骤。

第三方面，本发明还提供一种光栅的制作方法，包括采用上述的纳米图案的拼接方法形成拼接的第一纳米图案的步骤。