[发明专利]晶圆测量设备、晶圆测量系统以及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种用于测量形成在晶圆上的第一测量目标的可测量特性的晶圆测量系统，所述晶圆测量系统包括：

存储器，配置为存储晶圆的图像、均包括至少一条线的多个模板以及测量程序；以及

处理器，可访问存储器并且配置为执行包括在测量程序中的多个模块，

其中，所述多个模块包括：模板选择模块，配置为接收所述多个模板，并且选择与第一测量目标的形状对应的测量模板；模板匹配模块，配置为将测量模板与第一测量目标进行匹配；测量模块，配置为基于测量模板的位置信息来测量第一测量目标的可测量特性。

2.如权利要求1所述的晶圆测量系统，其中，所述模板匹配模块配置为检测第一测量目标的边界并基于第一测量目标的边界改变测量模板。

3.如权利要求1所述的晶圆测量系统，所述模板选择模块包括：

测量目标区域识别模块，配置为设定图像的包括第一测量目标的测量目标区域；

边界检测模块，配置为检测包括在测量目标区域中的第一测量目标的边界；

模板生成模块，配置为生成与第一测量目标的形状对应的测量模板。

4.如权利要求3所述的晶圆测量系统，其中，由模板生成模块生成的测量模板包括：边界线，用于确定测量模板是否与第一测量目标的边界一致；以及测量线，与第一测量目标的可测量特性对应。

5.如权利要求4所述的晶圆测量系统，其中，所述测量模块配置为测量测量线的长度以测量第一测量目标的可测量特性。

6.如权利要求1所述的晶圆测量系统，其中，所述晶圆还包括与第一测量目标具有基本相同形状的第二测量目标，

模板匹配模块将测量模板与第二测量目标进行匹配，并且

测量模块配置为基于测量模板的位置信息来测量第二测量目标的可测量特性。

7.如权利要求1所述的晶圆测量系统，其中，测量模板中包括的至少一条线包括在与晶圆的主表面垂直的方向上的直线。

8.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

通过处理器测量形成在晶圆上的至少一个测量目标的可测量特性；并且

基于测量的结果制造半导体装置，

其中，所述至少一个测量目标的可测量特性的测量包括：获得晶圆的图像和多个模板；在图像中设定第一测量目标区域，所述第一测量目标区域包括来自所述至少一个测量目标中的第一测量目标；选择与第一测量目标对应的测量模板作为选择的测量模板；将选择的测量模板与第一测量目标区域中的第一测量目标进行匹配；以及基于测量模板的位置信息来测量第一测量目标的可测量特性。

9.如权利要求8所述的方法，其中，第一测量目标的匹配包括：

检测第一测量目标的边界；

基于第一测量目标的边界改变测量模板的尺寸。

10.如权利要求8所述的方法，其中，测量模板包括：边界线，用于确定测量模板是否与第一测量目标的边界一致；以及测量线，用于测量第一测量目标的可测量特性。

11.如权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

在图像中设定包括第二测量目标的第二测量目标区域；

将选择的测量模板与第二测量目标区域中的第二测量目标进行匹配；以及

基于测量模板的位置信息来测量第二测量模板的可测量特性，其中，第二测量目标具有与第一测量目标基本相同的形状。

12.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

在测量第一测量目标的可测量特性之后，测量第二测量目标的可测量特性，

其中，第一测量目标区域和第二测量目标区域彼此相邻。