[发明专利]晶圆测量设备、晶圆测量系统以及制造半导体装置的方法在审
申请号: | 201910025777.6 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN110060936A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 沈成辅;李济铉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B15/00;G01B15/02;G01B15/04 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘润蓓;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 第一测量 测量模板 晶圆 晶圆测量系统 半导体装置 可测量特性 测量程序 测量设备 配置 处理器 种晶 测量 可访问存储器 模板匹配模块 模板选择模块 存储器配置 存储器 测量模块 测量系统 多个模板 形状对应 匹配 制造 存储 图像 | ||
提供了一种晶圆测量设备、一种晶圆测量系统以及一种制造半导体装置的方法。用于测量形成在晶圆上的第一测量目标的可测量特性的晶圆测量系统包括存储器和处理器。存储器配置为存储晶圆的图像、均包括至少一条线的多个模板以及测量程序。处理器可访问存储器并且配置为执行包括在测量程序中的多个模块。模块包括:模板选择模块,配置为接收模板,并且选择与第一测量目标的形状对应的测量模板;模板匹配模块,配置为将测量模板与第一测量目标进行匹配;测量模块,配置为基于测量模板的位置信息来测量第一测量目标的可测量特性。
本专利申请要求于2018年1月19日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0007239号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种晶圆测量系统和一种制造半导体装置的方法。更具体地,本公开涉及一种用于测量形成在晶圆上的测量目标的可测量特性的晶圆测量系统,以及一种使用测量的数据来制造半导体装置的方法。
背景技术
通常,为了通过一系列半导体装置制造工艺生产最终的半导体装置,需要执行若干单元工艺。因此,为了满足高水平的精度,在半导体生产线上布置了多个半导体制造设备(例如,CVD设备、溅射设备、蚀刻设备、测量设备等)。这些半导体制造设备按计划的工艺顺序进行半导体制造工艺。为了管理执行各种工艺的半导体加工设备的工艺效率,需要有效地测量形成在晶圆上的图案的技术。
发明内容
本公开中描述的发明构思可以用于提供一种用来精确地且快速地测量形成在晶圆上的测量目标的可测量特性的晶圆测量系统以及一种使用其制造半导体装置的方法。
根据本公开的一方面,一种用于测量形成在晶圆上的第一测量目标的可测量特性的晶圆测量系统包括存储器和处理器。存储器配置为存储晶圆的图像、均包括至少一条线的多个模板以及测量程序。处理器可访问存储器并且配置为执行包括在测量程序中的多个模块。模块包括:模板选择模块,配置为接收模板,并且选择与第一测量目标的形状对应的测量模板;模板匹配模块,配置为将测量模板与第一测量目标进行匹配;测量模块,配置为基于测量模板的位置信息来测量第一测量目标的可测量特性。
根据本公开的另一方面,一种制造半导体装置的方法包括:通过处理器测量形成在晶圆上的至少一个测量目标的可测量特性;并且基于测量的结果制造半导体装置。所述至少一个测量目标的可测量特性的测量包括:获得晶圆的图像和多个模板;在图像中设定第一测量目标区域,所述第一测量目标区域包括来自所述至少一个测量目标中的第一测量目标。可测量特性的测量还包括:选择与第一测量目标对应的测量模板;将选择的测量模板与第一测量目标区域中的第一测量目标进行匹配;以及基于测量模板的位置信息来测量第一测量目标的可测量特性。
根据本公开的另一方面,一种用于测量形成在晶圆上的第一测量目标的可测量特性的测量装置包括存储器、处理器和输出单元。存储器配置为存储晶圆的图像、均包括至少一条线的多个模板以及测量程序。处理器可访问存储器并且配置为执行包括在测量程序中的多个模块。输出单元配置为输出对可测量特性进行测量的处理的结果。模块包括:模板选择模块,配置为接收模板并且选择与测量目标的形状对应的测量模板;模板匹配模块,配置为将测量模板与测量目标进行匹配;以及测量模块,配置为基于测量模板的位置信息来测量测量目标的可测量特性。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述,将更清楚地理解本公开的示例实施例,在附图中:
图1是示出根据本公开的实施例的晶圆测量系统的框图。
图2是示出根据本公开的实施例的包括在测量程序中的用于测量测量目标的规格(可测量特性)的模块的框图。
图3是示出根据本公开的实施例的晶圆测量系统的操作的流程图。
图4是示出根据本公开的实施例的晶圆测量系统的操作的流程图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910025777.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件及其制造方法
- 下一篇:一种硅片插片装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造