[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法及薄膜晶体管面板以及电子器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极，

与所述栅电极重叠的半导体层，所述半导体层包括多个孔，

在所述栅电极与所述半导体层之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在所述栅极绝缘层的面对所述半导体层的表面处，以及

电连接到所述半导体层的源电极和漏电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层的所述多个孔对应于所述栅极绝缘层的所述多个凹陷部分。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中

所述半导体层在所述栅极绝缘层上，以及

所述半导体层的所述多个孔与所述栅极绝缘层的所述多个凹陷部分重叠。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多个凹陷部分随机地布置在所述栅极绝缘层的面对所述半导体层的所述表面处。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层的所述多个孔随机地布置。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述栅极绝缘层的所述多个凹陷部分在所述栅极绝缘层的面对所述半导体层的所述表面处按列或行重复地布置。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层的所述多个孔按列或行重复地布置。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述凹陷部分的深度是所述栅极绝缘层的厚度的约50％或更小。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述凹陷部分的深度范围从50nm至1μm。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述凹陷部分的宽度范围从50nm至1μm。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多个凹陷部分之中相邻的凹陷部分之间的间距范围从100nm至10μm。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多个凹陷部分具有根据深度的相同的宽度。

13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多个凹陷部分具有根据深度的不同宽度。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中随着从所述栅极绝缘层的面对所述半导体层的所述表面起的深度增大，所述多个凹陷部分的宽度变宽。

15.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：

在所述栅极绝缘层与所述半导体层之间的表面修饰层。

16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层是连续薄膜。

17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括有机半导体。

18.根据权利要求17所述的薄膜晶体管，其中所述有机半导体包括稠合多环芳族化合物和稠合多环杂芳族化合物中的至少一种。

19.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板，

在所述基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线彼此交叉以限定多个像素，以及

根据权利要求1所述的薄膜晶体管，连接到所述栅线和所述数据线并且设置在所述多个像素之一中。