[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法及薄膜晶体管面板以及电子器件

说明书

提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。

技术领域

公开了薄膜晶体管、其制造方法及薄膜晶体管阵列面板以及包括该薄膜晶体管或该薄膜晶体管阵列面板的电子器件。

背景技术

诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、电泳显示器等的平板显示器包括成对的电场产生电极和插置在其间的电活性层。液晶显示器(LCD)包括液晶层作为电活性层，有机发光二极管(OLED)显示器包括有机发射层作为电活性层。

成对的电场产生电极之一通常连接到开关器件并接收电信号，电活性层将电信号转换成光信号因而显示图像。

平板显示器包括薄膜晶体管(TFT)的三端子元件作为开关，并且还包括栅线和数据线。栅线可以用于传输扫描信号并用于控制薄膜晶体管。数据线可以用于传输将施加到像素电极的数据信号。

发明内容

一实施方式提供了能够实现改善的性能的薄膜晶体管。

另一实施方式提供了制造该薄膜晶体管的方法。

又一实施方式提供了包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列显示面板。

再一实施方式提供了包括该薄膜晶体管或该薄膜晶体管阵列显示面板的电子器件。

根据一实施方式，一种薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、栅极绝缘层、源电极和漏电极。半导体层可以与栅电极重叠，并且可以包括多个孔。栅极绝缘层可以在栅电极与半导体层之间，并且可以在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处具有多个凹陷部分。源电极和漏电极可以电连接到半导体层。

在一些示例实施方式中，半导体层的所述多个孔可以对应于栅极绝缘层的所述多个凹陷部分。

在一些示例实施方式中，半导体层可以在栅极绝缘层上，栅极绝缘层的所述多个凹陷部分和半导体层的所述多个孔可以彼此重叠。

在一些示例实施方式中，所述多个凹陷部分可以在栅极绝缘层的面对半导体层的所述表面处随机地布置。

在一些示例实施方式中，半导体层的所述多个孔可以随机地布置。

在一些示例实施方式中，栅极绝缘层的所述多个凹陷部分可以在栅极绝缘层的面对半导体层的所述表面处按列或行重复地布置。

在一些示例实施方式中，半导体层的所述多个孔可以按列或行重复地布置。

在一些示例实施方式中，所述多个凹陷部分的深度可以是栅极绝缘层的厚度的约50％或更小。

在一些示例实施方式中，凹陷部分的深度可以范围从约50nm至约1μm。

在一些示例实施方式中，凹陷部分的宽度可以范围从约50nm至约1μm。

在一些示例实施方式中，所述多个凹陷部分之中相邻的凹陷部分之间的间距可以范围从约100nm至约10μm。

在一些示例实施方式中，所述多个凹陷部分可以具有根据深度的基本相同的宽度。

在一些示例实施方式中，所述多个凹陷部分可以具有根据深度的不同宽度。

在一些示例实施方式中，随着从栅极绝缘层的面对半导体层的所述表面起的深度增大，所述多个凹陷部分的宽度可以变宽。

在一些示例实施方式中，薄膜晶体管还可以包括在栅极绝缘层与半导体层之间的表面修饰层。