[发明专利]包括器件隔离层的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，具有单元区域和核心/外围区域；

第一有源区，位于基底的单元区域中；

第一器件隔离层，限定第一有源区；

第二有源区，位于基底的核心/外围区域中；以及

第二器件隔离层，限定第二有源区，

其中，第二器件隔离层包括：第一绝缘膜，与第二有源区接触；以及第二绝缘膜，与第一绝缘膜接触，并与第二有源区间隔开，

在与基底的下表面垂直的第一方向上从基底的下表面到第一器件隔离层的上端的高度小于或等于在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度，并且

在第一方向上从基底的下表面到第二器件隔离层的上端的高度大于在第一方向上从基底的下表面到第二有源区的上端的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在核心/外围区域中，在第一方向上从基底的下表面到第一绝缘膜的上部的高度和在第一方向上从基底的下表面到第二绝缘膜的上部的高度大于在第一方向上从基底的下表面到第二有源区的上端的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一绝缘膜和第二绝缘膜包括氧化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二器件隔离层的上表面包括具有在与第一方向相反的方向上凹陷的形状的凹部。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第二器件隔离层的上表面还包括倾斜部，倾斜部位于第二有源区与凹部之间并相对于第一方向朝向凹部倾斜。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，在第一方向上从基底的下表面到第二器件隔离层的上表面的凹部的下端的高度大于在第一方向上从基底的下表面到第二有源区的上端的高度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度大于在第一方向上从基底的下表面到第二有源区的上端的高度。

8.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，具有单元区域和核心/外围区域；

第一有源区，位于基底的单元区域中；

第二有源区，在与基底的下表面平行的第一方向上与第一有源区分开第一距离；

第三有源区，在与基底的下表面平行的第二方向上与第一有源区分开第二距离，第二距离小于第一距离，第二方向与第一方向不同；

第一器件隔离层，限定第一有源区、第二有源区和第三有源区；

第四有源区和第五有源区，位于基底的核心/外围区域中，在与基底的下表面平行的第三方向上彼此分开第三距离，第三距离大于第一距离，第三方向与第一方向和第二方向中的至少一个不同；以及

第二器件隔离层，限定第四有源区和第五有源区，

其中，第一器件隔离层包括：第一绝缘膜，与第一有源区、第二有源区和第三有源区接触；以及第二绝缘膜，被第一绝缘膜围绕，

第二绝缘膜位于第一有源区与第二有源区之间，

第二器件隔离层包括：第三绝缘膜，与第四有源区和第五有源区接触；以及第四绝缘膜，与第三绝缘膜接触，并与第四有源区和第五有源区分开，并且

第二器件隔离层的上表面的至少一部分从第四有源区和第五有源区向上突出。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，第三绝缘膜和第四绝缘膜包括相同的材料。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，第二器件隔离层的整个上表面从第四有源区和第五有源区向上突出。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，第二器件隔离层的上表面的至少一部分从第四有源区和第五有源区向上突出的距离小于第四有源区与第五有源区之间的第三距离。