[发明专利]包括器件隔离层的半导体装置

说明书

提供了包括器件隔离层的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和核心/外围区域；第一有源区，位于基底的单元区域中；第一器件隔离层，限定第一有源区；第二有源区，位于基底的核心/外围区域中；以及第二器件隔离层，限定第二有源区。在与基底的下表面垂直的第一方向上从基底的下表面到第一器件隔离层的上端的高度小于或等于在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度。

本申请要求于2018年5月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0057432号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用而全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括器件隔离层的半导体装置。

背景技术

可以形成器件隔离层以限定半导体装置的有源区。例如，可以通过形成填充形成在基底中的沟槽的绝缘膜来形成器件隔离层。器件隔离层可以影响半导体装置的电特性。

发明内容

发明构思提供了一种包括器件隔离层的半导体装置，该半导体装置增加了其电特性、减小了核心/外围区域的面积、增加了在核心/外围区域中形成栅极绝缘膜之前去除有源区上的氧化物的工艺余量并增加了形成栅极结构的工艺余量。

根据发明构思的一个方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和核心/外围区域；第一有源区，位于基底的单元区域中；第一器件隔离层，限定第一有源区；第二有源区，位于基底的核心/外围区域中；以及第二器件隔离层，限定第二有源区。第二器件隔离层包括：第一绝缘膜，与第二有源区接触；以及第二绝缘膜，与第一绝缘膜接触，并与第二有源区间隔开。在与基底的下表面垂直的第一方向上从基底的下表面到第一器件隔离层的上端的高度小于或等于在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度。在第一方向上从基底的下表面到第二器件隔离层的上端的高度大于在第一方向上从基底的下表面到第二有源区的上端的高度。

根据发明构思的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和核心/外围区域；第一有源区，位于基底的单元区域中；第二有源区，在与基底的下表面平行的第一方向上与第一有源区分开第一距离；第三有源区，在与基底的下表面平行的第二方向上与第一有源区分开第二距离，第二距离小于第一距离，第二方向与第一方向不同；第一器件隔离层，限定第一有源区、第二有源区和第三有源区；第四有源区和第五有源区，位于基底的核心/外围区域中，在与基底的下表面平行的第三方向上彼此分开第三距离，第三距离大于第一距离，第三方向与第一方向和第二方向中的至少一个不同；以及第二器件隔离层，限定第四有源区和第五有源区。第一器件隔离层包括：第一绝缘膜，与第一有源区、第二有源区和第三有源区接触；以及第二绝缘膜，被第一绝缘膜围绕。第二绝缘膜布置在第一有源区与第二有源区之间。第二器件隔离层包括：第三绝缘膜，与第四有源区和第五有源区接触；以及第四绝缘膜，与第三绝缘膜接触，并与第四有源区和第五有源区分开。第二器件隔离层的上表面的至少一部分从第四有源区和第五有源区向上突出。

根据发明构思的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和核心/外围区域；第一有源区，位于基底的单元区域中；第一器件隔离层，限定第一有源区；第二有源区，位于基底的核心/外围区域中；第二器件隔离层，限定第二有源区；栅极绝缘膜，位于第二有源区上；以及栅极结构，布置在栅极绝缘膜上并在第二器件隔离层上延伸。第一器件隔离层包括：第一绝缘膜，与第一有源区接触；以及第二绝缘膜，被第一绝缘膜围绕。第二器件隔离层包括：第三绝缘膜，与第二有源区接触；第四绝缘膜，第四绝缘膜的侧壁和下表面被第三绝缘膜围绕；以及覆盖绝缘膜，覆盖第四绝缘膜的上表面。在与基底的下表面垂直的第一方向上从基底的下表面到第二器件隔离层的上端的高度大于在第一方向上从基底的下表面到第二有源区的上端的高度。在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度大于在第一方向上从基底的下表面到第二有源区的上端的高度。

附图说明