[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质

权利要求书

1.衬底处理装置，其具备：

支承衬底的衬底支承部；

处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；

排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；和

气体供给系统，其具有：向所述第一空间供给气体的气体导入管；支承所述处理室并供所述气体导入管贯通的歧管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间外侧的第二空间中对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管以从上下夹入的方式固定，所述接头部具有主体部以及供所述气体导入管的前端插入的第一凸缘；第二凸缘，其设于所述歧管并被所述第一凸缘覆盖，所述气体导入管贯通所述第二凸缘；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间，所述压力调节部具有：以与所述气体导入管和所述第二凸缘接触的方式构成的第一O型圈；第二O型圈，所述第二O型圈设于在气体流动方向上不与所述第一O型圈重叠的位置，以与所述第一凸缘和所述第二凸缘接触的方式构成；以及在所述第一O型圈与所述第二O型圈之间构成的压力调节空间。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，配置有所述接头部的空间为所述第二空间，处理所述衬底时的压力构成为所述第二空间与所述压力调节部成为相同压力。

3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给系统具有对与大气成分反应的气体进行搬送的第一气体供给系统，所述压力调节部至少设置于第一气体供给系统。

4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给系统具有对与大气成分反应的气体进行搬送的第一气体供给系统，所述压力调节部至少设置于第一气体供给系统。

5.如权利要求1至4中任一项所述的衬底处理装置，其中，所述压力调节部构成为设置在所述气体导入管或所述气体搬送管中的任一者与所述接头部之间。

6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述气体导入管由石英构成，所述第一O型圈由弹性体构成，所述气体导入管构成为被所述第一O型圈支承。

7.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述第一O型圈构成为设置在所述第一空间与所述压力调节部之间。

8.如权利要求6所述的衬底处理装置，其中，所述第一O型圈构成为设置在所述第一空间与所述压力调节部之间。

9.衬底处理装置，其具备：

支承衬底的衬底支承部；

反应管，其在所述衬底支承部被内置的状态下处理衬底；

支承所述反应管的歧管；

炉口部，其具有供所述衬底支承部通过的炉口；

密封盖，其在利用所述反应管处理衬底时介由密封构件而将所述炉口封闭；

排气部，其能够对由所述反应管和所述歧管构成的第一空间的气氛进行排气；和

气体供给系统，其具有：炉口盒部，其设置在所述炉口部的外侧，构成与所述第一空间隔离的第二空间；向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间的外侧对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管以从上下夹入的方式固定，所述接头部具有主体部以及供所述气体导入管的前端插入的第一凸缘；第二凸缘，其设于所述歧管并被所述第一凸缘覆盖，所述气体导入管贯通所述第二凸缘；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间，所述压力调节部具有：以与所述气体导入管和所述第二凸缘接触的方式构成的第一O型圈；第二O型圈，所述第二O型圈设于在气体流动方向上不与所述第一O型圈重叠的位置，以与所述第一凸缘和所述第二凸缘接触的方式构成；以及在所述第一O型圈与所述第二O型圈之间构成的压力调节空间。