[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质

说明书

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质。本发明的目的在于，提供能够在处理室中抑制大气气氛的侵入的技术。本发明的技术具有：支承衬底的衬底支承部；处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间的外侧的第二空间中对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管固定；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间。

技术领域

本发明涉及处理衬底的衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质。

背景技术

处理衬底的衬底处理装置可在处理室中于衬底上形成各种膜。对于一部分膜而言，需要减小氧等大气成分的影响。因此，在衬底处理装置中，需要努力减轻大气成分的影响。作为处理衬底的装置，存在例如专利文献1中公开的装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-199160号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于，提供能够在处理室中抑制大气气氛的侵入的技术。

用于解决课题的手段

本发明的技术具有：支承衬底的衬底支承部；处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间外侧对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管固定；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间。

发明效果

根据本技术，能够在处理室中抑制大气气氛的侵入。

附图说明

[图1]为说明第一实施方式涉及的衬底处理装置的说明图。

[图2]为第一实施方式涉及的衬底处理装置所具备的处理炉的说明图。

[图3]为说明第一实施方式涉及的接头部与其周边的说明图。

[图4]为说明比较例涉及的衬底处理装置的说明图。

[图5]为对第一实施方式涉及的衬底处理装置的控制器进行说明的说明图。

[图6]为说明第二实施方式涉及的接头部及其周边的说明图。

[图7]为说明第三实施方式涉及的衬底处理装置的说明图。

附图标记说明

14 晶片

401 处理室

408 气体导入管

409 处理气体搬送管

412 炉口盒

415 接头部

417 O型圈

418 O型圈

419 邻接部

420 压力调节空间

具体实施方式

(第一实施方式)

(衬底处理装置的构成)

(装置整体)