[发明专利]一种X射线探测器及具有其的显示设备有效

专利信息
申请号: 201910031219.0 申请日: 2019-01-11
公开(公告)号: CN109768062B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 卓恩宗 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/028;G01N23/04
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 射线 探测器 具有 显示 设备
【权利要求书】:

1.一种X射线探测器,其特征在于,包括:

闪烁体,位于所述X射线探测器的入光侧并将X射线转换成可见光;

薄膜晶体管;

感光层,设于所述闪烁体与所述薄膜晶体管之间,所述感光层包括一透明导电薄膜及一介孔硅层,所述介孔硅层与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述透明导电薄膜设置于所述介孔硅层的入光侧;其中介孔硅层为均匀的多孔结构,且孔内填充有硅颗粒;

遮光件,位于所述闪烁体与薄膜晶体管之间且与所述薄膜晶体管的有源层的位置对应,以遮挡所述有源层的入射光;

其中,所述介孔硅层穿透所述薄膜晶体管的绝缘保护层与所述薄膜晶体管的漏极电连接;或,所述介孔硅层不穿透所述薄膜晶体管的绝缘保护层,通过导线与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器,其特征在于,所述硅颗粒为纳米硅。

3.根据权利要求1所述的X射线探测器,其特征在于,所述感光层还包括P掺杂层与N掺杂层;所述P掺杂层位于所述介孔硅层的入光侧且处于所述透明导电薄膜与所述介孔硅层之间;所述N掺杂层位于所述介孔硅层的出光侧且处于所述介孔硅层与所述薄膜晶体管之间。

4.根据权利要求3所述的X射线探测器,其特征在于,所述感光层还包括包绕所述P掺杂层与N掺杂层的绝缘介质,以使所述P掺杂层与N掺杂层绝缘。

5.根据权利要求1所述的X射线探测器,其特征在于,所述感光层位于所述闪烁体与所述遮光件之间。

6.根据权利要求1所述的X射线探测器,其特征在于,所述感光层及遮光件并排设置于闪烁体与所述薄膜晶体管之间。

7.根据权利要求1所述的X射线探测器,其特征在于,所述X射线探测器还包括:保护层,所述保护层填充于所述薄膜晶体管与所述闪烁体之间的空隙,以将所述遮光件、感光层及薄膜晶体管与外界环境隔离。

8.一种X射线探测器,其特征在于,所述X射线探测器包括:闪烁体,位于所述X射线探测器的入光侧并将X射线转换成可见光;

薄膜晶体管;

感光层,设于所述闪烁体与所述薄膜晶体管之间,所述感光层包括一透明导电薄膜及一介孔硅层,所述介孔硅层与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述透明导电薄膜设置于所述介孔硅层的入光侧;其中介孔硅层为均匀的多孔结构,且孔内填充有硅颗粒,所述硅颗粒为纳米硅;

遮光件,位于所述闪烁体与薄膜晶体管之间且与所述薄膜晶体管的有源层的位置对应,以遮挡所述有源层的入射光;

保护层,所述保护层填充于所述薄膜晶体管与所述闪烁体之间的空隙,以将所述遮光件、感光层及薄膜晶体管与外界环境隔离。

9.一种显示设备,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的X射线探测器,所述显示设备还包括成像装置,所述成像装置与所述薄膜晶体管电连接。

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