[发明专利]一种X射线探测器及具有其的显示设备有效
申请号: | 201910031219.0 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN109768062B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/028;G01N23/04 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射线 探测器 具有 显示 设备 | ||
本发明提供了一种X射线探测器及具有该X射线探测器的显示设备,其中X射线探测器包括:闪烁体,位于X射线探测器的入光侧并将X射线转换成可见光;薄膜晶体管;感光层,设于闪烁体与薄膜晶体管之间,感光层包括一透明导电薄膜及一介孔硅层,介孔硅层与薄膜晶体管的漏极电连接,透明导电薄膜设置于介孔硅层的入光侧;其中介孔硅层为均匀的多孔结构,且孔内填充有硅颗粒;遮光件,位于闪烁体与薄膜晶体管之间且与薄膜晶体管的有源层的位置对应,以遮挡有源层的入射光。本发明利用介孔硅作为光电转换层的X射线探测器对X射线的转换更加灵敏,且光电转换效率更高。
技术领域
本发明涉及探测器领域,特别涉及一种X射线探测器及具有其的显示设备。
背景技术
X射线探测器是将X射线转换成可见光使X射线医疗设备实现CT成像的核心部件;在现有技术中,X射线探测器的光电转换功能由非晶硅(a-硅)完成,由于非晶硅的结构不够稳定、光转换效率低,导致其吸收的光波范围较宽,对光的转换不够灵敏,直接影响了X射线探测器的光电转换效率。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种X射线探测器,旨在解决由非晶硅完成光电转换的X射线探测器光电转换效率低的问题。
为实现上述目的,本发明提出一种X射线探测器,包括:闪烁体,位于所述X射线探测器的入光侧并将X射线转换成可见光;薄膜晶体管;感光层,设于所述闪烁体与所述薄膜晶体管之间,所述感光层包括一透明导电薄膜及一介孔硅层,所述介孔硅层与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述透明导电薄膜设置于所述介孔硅层的入光侧;其中介孔硅层为均匀的多孔结构,且孔内填充有硅颗粒;遮光件,位于所述闪烁体与薄膜晶体管之间且与所述薄膜晶体管的有源层的位置对应,以遮挡所述有源层的入射光。
可选的,所述硅颗粒为纳米硅。
可选的,所述感光层还包括P掺杂层与N掺杂层;所述P掺杂层位于所述介孔硅层的入光侧且处于所述透明导电薄膜与所述介孔硅层之间;所述N掺杂层位于所述介孔硅层的出光侧且处于所述介孔硅层与所述薄膜晶体管之间。
可选的,所述感光层还包括包绕所述P掺杂层与N掺杂层的绝缘介质,以使所述P掺杂层与N掺杂层绝缘。
可选的,所述感光层位于所述闪烁体与所述遮光件之间。
可选的,所述感光层及遮光件并排设置于闪烁体与所述薄膜晶体管之间。
可选的,所述介孔硅层穿透所述薄膜晶体管的绝缘保护层与所述薄膜晶体管的漏极电连接;或,所述介孔硅层不穿透所述薄膜晶体管的绝缘保护层,通过导线与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
可选的,所述X射线探测器还包括:保护层,所述保护层填充于所述薄膜晶体管与所述闪烁体之间的空隙,以将所述遮光件、感光层及薄膜晶体管与外界环境隔离。
本发明还提出一种显示设备,其包括上述任一项所述的X射线探测器,所述显示设备还包括成像装置,所述成像装置与所述薄膜晶体管电连接。
本发明技术方案通过将X射线探测器感光层的非晶硅层替换为具有均匀多孔结构且填充有硅颗粒的介孔硅层,由介孔硅层将来自闪烁体的可见光进行光电转换,并通过与介孔硅电连接的薄膜晶体管将电信号输出,使X射线探测器实现将X射线转换为电信号,介孔硅对光波的吸收比非晶硅更加稳定,使得利用介孔硅作为光电转换层的X射线探测器对X射线的转换更加灵敏,且光电转换效率更高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明X射线探测器的一实施例的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的