[发明专利]用于处理衬底的设备有效
申请号: | 201910031389.9 | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN110047779B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 徐钟锡 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/16 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 衬底 设备 | ||
1.一种用于处理衬底的设备,所述设备包括:
腔室,在所述腔室中具有处理空间;
衬底支撑单元,所述衬底支撑单元用于在所述处理空间中支撑衬底;以及
加热器单元,所述加热器单元用于加热由所述衬底支撑单元支撑的所述衬底,
其中,所述衬底支撑单元包括:
支撑板,所述支撑板具有支持面;
支撑突出部,所述支撑突出部设置为从所述支撑板突出并直接支撑所述衬底;
升降销,所述升降销被设置为在所述支撑板上上下移动所述衬底;
传感器,所述传感器设置于所述支撑突出部以测量所述衬底的温度;以及
弹性构件,所述弹性构件用于在所述支撑突出部面对所述衬底的方向上向所述支撑突出部施加弹力,
其中,在所述支持面中形成插入孔,
其中,所述插入孔包括从所述支持面向下延伸的第一孔和从所述第一孔向下延伸的第二孔,并且所述第一孔的宽度大于所述第二孔的宽度,
其中,从所述支持面突出的所述支撑突出部的突出区域的宽度大于所述第二孔的宽度,并且
其中,所述弹性构件定位在所述第一孔中。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,设置有多个插入孔和多个支撑突出部,
其中,所述设备还包括:
减压单元,所述减压单元用于减小所述衬底和所述支持面之间的空间的压力。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述多个支撑突出部的一部分位于所述支持面的第一区域中,并且其他的所述支撑突出部位于所述支持面的第二区域中,
其中,所述第一区域包括所述支持面的中心区域,以及
其中,所述第二区域包括所述支持面的边缘,所述支持面的边缘围绕所述第一区域。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备,其中,所述支撑突出部包括用于直接支撑所述衬底的主体,以及
其中,所述传感器位于所述主体中,并且与所述主体的外表面相反的内表面相邻地设置,所述主体的外表面与所述衬底接触。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的设备,其中,所述支撑突出部包括主体,以及
其中,所述传感器穿过所述主体定位以直接支撑所述衬底。
6.根据权利要求1所述的设备,其中,在所述支持面中形成插入孔,并且所述支撑突出部插入到所述插入孔中,
其中,所述支撑突出部的上端从所述支持面突出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造