[发明专利]用于处理衬底的设备有效
申请号: | 201910031389.9 | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN110047779B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 徐钟锡 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/16 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 衬底 设备 | ||
提供了一种用于处理衬底的设备。该设备包括:腔室,该腔室中具有处理空间;衬底支撑单元,该衬底支撑单元用于在处理空间中支撑衬底;以及加热器单元,该加热器单元用于加热由衬底支撑单元支撑的衬底。衬底支撑单元包括:支撑板,该支撑板具有支持面;支撑突出部,该支撑突出部被设置为从支撑板突出并直接支撑衬底;以及传感器,该传感器设置于支撑突出部以测量衬底的温度。
技术领域
本文中所公开的发明构思的实施例涉及一种用于处理衬底的设备,更具体地,涉及一种用于对衬底进行预成形热处理的设备。
背景技术
制造半导体装置需要处理多种工艺,如清洗、沉积、光刻、蚀刻和离子注入。其中,光刻工艺包括在衬底上形成液膜(如光刻胶膜)的过程。
在衬底上形成液膜之后,执行烘烤过程以加热衬底。在烘烤过程中,必须在均匀的温度下加热衬底的整个区域。
典型的烘烤装置包括具有支撑突出部和加热器的支撑板,并且温度传感器安装在该支撑板上。支撑突出部支撑衬底,使得衬底与支撑板隔开,并且温度传感器测量支撑板的温度。然而,由温度传感器测量的温度值不同于衬底的实际温度值。
因此,当设置了烘烤装置时,需执行温度校正工作以校正经测量的温度值与衬底的实际温度值之间的差异。图1是示出了其上安装有衬底(温度测量衬底)的烘烤装置的截面图,其中测量衬底的温度。参照图1和图2,用于衬底的温度传感器可以安装在温度测量衬底的多个区域。支撑板由加热器加热,并且温度校正系统计算由温度传感器和衬底的温度传感器测量的值。通常,由衬底的温度传感器测量的值低于温度传感器测量的值。计算两个测量值之间的差异,并通过该差异来校正温度传感器的温度。
然而,这种温度校正工作的执行可能因工人技能的不同而有所不同,并且可能无法准确地该执行温度校正工作。
现有技术
(专利文件)韩国专利授权第10-0784389号。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用于精确测量衬底温度的设备和方法。
本发明构思的实施例提供了一种能够跳过针对衬底的温度校正工作的装置和方法。
本发明构思的实施例提供了一种用于处理衬底的设备。
根据实施例的一个方面,一种用于处理衬底的设备包括:腔室,所述腔室中具有处理空间;衬底支撑单元,所述衬底支撑单元用于在所述处理空间中支撑衬底;以及加热器单元,所述加热器单元用于加热由所述衬底支撑单元支撑的所述衬底。所述衬底支撑单元包括:支撑板,所述支撑板具有支持面;支撑突出部,所述支撑突出部被设置为从支撑板突出并直接支撑所述衬底;以及传感器,所述传感器设置于所述支撑突出部以测量所述衬底的温度。
所述设备可包括弹性构件,以在所述支撑突出部面向衬底的方向上向所述支撑突出部施加弹力。插入孔可以在所述支持面中形成,所述插入孔可以包括从所述支持面向下延伸的第一孔和从所述第一孔向下延伸的第二孔,所述第一孔的宽度可以大于所述第二孔的宽度,且从所述支持面突出的支撑突出部的突出区域的宽度可以大于所述第二孔的宽度,并且所述弹性构件可以定位在第一孔中。
可以设置多个插入孔和多个支撑突出部,并且所述设备还可以包括减压单元,以减小所述衬底和所述支持面之间的空间的压力。
部分的支撑突出部可以定位在所述支持面的第一区域中,而其他支撑突出部可以定位在所述支持面的第二区域中。所述第一区域可包括所述支持面的中心区域,所述第二区域可包括围绕所述第一区域的支持面的边缘。
支撑突出部可以包括直接支撑所述衬底的主体,所述传感器可以定位在所述主体中,并且与该主体的外表面相反的内表面相邻,该主体的外表面与衬底接触。
可替选地,支撑突出部可以包括主体,并且传感器可以穿过该主体进行定位,以直接支撑衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造