[发明专利]有机发光二极管显示基板及制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910032958.1 | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN109742092B | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 陈义鹏;王丽;皇甫鲁江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L23/552;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 制作方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示基板,包括衬底基板、及位于所述衬底基板上的数据线、驱动薄膜晶体管和储能电容,所述储能电容包括第一电容极板和第二电容极板,其特征在于,
所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述第二电容极板为一体结构,所述第一电容极板包括主体部分和第一屏蔽部分,所述主体部分与所述第二电容极板相对布置,并且在垂直于所述衬底基板的方向上所述主体部分位于所述数据线和所述第二电容极板之间,所述第一屏蔽部分从所述主体部分至少延伸至所述第二电容极板与所述第二电容极板相邻的一条所述数据线之间,所述第一屏蔽部分与所述数据线正投影不交叠;
第二屏蔽部分,所述第二屏蔽部分从所述主体部分至少延伸至所述第二电容极板与所述第二电容极板相邻的另一条数据线之间;
所述第二屏蔽部分的正投影与所述数据线正投影交叠,与所述第一屏蔽部分之间具有间隔;
所述显示基板还包括:第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的第一极与所述驱动薄膜晶体管的第二极连接;
所述第一薄膜晶体管的第二极与有机发光二极管的阳极连接,所述第一薄膜晶体管的控制极连接发光控制线,被配置为接收发光控制信号;
第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管被配置为对所述驱动薄膜晶体管的阈值电压进行补偿;
所述第二薄膜晶体管的第一极与所述驱动薄膜晶体管的控制极电连接;
所述第二薄膜晶体管的第二极与所述驱动薄膜晶体管的第二极电连接;
所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述驱动薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影的同一侧;
所述第二屏蔽部分在所述衬底基板上的正投影与所述第一薄膜晶体管的第一极、以及所述第二薄膜晶体管的第二极在所述衬底基板上的正投影均不交叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分位于与所述数据线相邻的所述第一电容极板在所述衬底基板上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括屏蔽电极,所述屏蔽电极位于在多条所述数据线排列的方向上相邻的所述第一电容极板之间,所述屏蔽电极位于所述数据线和所述第二电容极板之间。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述屏蔽电极与所述第一电容极板同层布置。
5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述屏蔽电极位于所述数据线和所述第一电容极板之间。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括用于加载恒定电压信号的恒定电压信号线,所述恒定电压信号至少在所述驱动薄膜晶体管的导通阶段电压恒定,所述屏蔽电极与所述恒定电压信号线连接。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述恒定电压信号线包括扫描线、参考信号线、电源线、发光控制线中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述电源线和所述数据线同层布置。
9.根据权利要求1~8任一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括均压线和多根电源线,所述多根电源线均与所述均压线连接。
10.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的显示基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910032958.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的