[发明专利]有机发光二极管显示基板及制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910032958.1 | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN109742092B | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 陈义鹏;王丽;皇甫鲁江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L23/552;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种有机发光二极管显示基板及制作方法、显示装置。该显示基板包括衬底基板、数据线、驱动薄膜晶体管和储能电容,储能电容包括第一电容极板和第二电容极板,驱动薄膜晶体管的栅极与第二电容极板为一体结构,第一电容极板包括主体部分和第一屏蔽部分,第一屏蔽部分延伸至第二电容极板、与第二电容极板相邻的数据线之间,第一屏蔽部分可以屏蔽第二电容极板及其相邻数据线之间的电容耦合,减小第二电容极板与数据线之间的寄生电容,在数据线上的电压发生变化时,第二电容极板产生的电压变化得到了降低,即降低了薄膜晶体管的控制极的电压变化,有效的改善了像素的灰阶发生变化时,显示画面出现异常的问题。
技术领域
本发明涉及显示装置领域,特别涉及一种有机发光二极管显示基板及制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器是一种应用十分广泛的主流显示器,具有超轻薄、制作成本低等优点。
OLED显示器的显示面板通常包括相对设置的阵列基板和盖板,阵列基板上设置有发光单元。阵列基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的多条数据线和多条扫描线,多条数据线和多条扫描线相互交叉限定出多个像素区域。每个像素区域内至少设有一个驱动TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)、一个开关TFT和一个储能电容,开关TFT的源极与数据线连接,开关TFT的栅极与扫描线连接,开关TFT的漏极与储能电容的一个电容极板连接,储能电容的另一个电容极板与驱动TFT的栅极为一体结构,驱动TFT的源极连接电源信号线,驱动TFT的漏极连接发光单元。
当像素的灰阶发生变化时,数据线上的电压会发生变化,由于与驱动TFT的栅极为一体结构的电容极板与数据线之间会形成寄生电容,受该寄生电容的影响,在数据线上的电压变化时,会引起该电容极板的电压的变化,这样就会造成驱动TFT的栅极电压发生变化,导致像素的灰阶异常,从而导致显示画面出现异常。
发明内容
本发明实施例提供了一种有机发光二极管显示基板及制作方法、显示装置,能够避免像素的灰阶发生变化时,显示画面出现异常。所述技术方案如下:
第一方面,本发明实施例提供了一种有机发光二极管显示基板,包括衬底基板、及位于所述衬底基板上的数据线、驱动薄膜晶体管和储能电容,所述储能电容包括第一电容极板和第二电容极板,所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述第二电容极板为一体结构,所述第一电容极板包括主体部分和第一屏蔽部分,所述主体部分与所述第二电容极板相对布置,并且在垂直于所述衬底基板的方向上所述主体部分位于所述数据线和所述第二电容极板之间,所述第一屏蔽部分从所述主体部分至少延伸至所述第二电容极板与所述第二电容极板相邻的一条所述数据线之间。
可选地,所述第一电容极板还包括第二屏蔽部分,所述第二屏蔽部分从所述主体部分至少延伸至所述第二电容极板与所述第二电容极板相邻的另一条所述数据线之间。
可选地,所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分位于与所述数据线相邻的所述第一电容极板在所述衬底基板上的正投影内。
可选地,还包括屏蔽电极,所述屏蔽电极位于在多条所述数据线排列的方向上相邻的所述第一电容极板之间,所述屏蔽电极位于所述数据线和所述第二电容极板之间。
可选地,所述屏蔽电极与所述第一电容极板同层布置。
可选地,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述屏蔽电极位于所述数据线和所述第一电容极板之间。
可选地,所述显示基板还包括用于加载恒定电压信号的恒定电压信号线,所述恒定电压信号至少在所述驱动薄膜晶体管的导通阶段电压恒定,所述屏蔽电极与所述恒定电压信号线连接。
可选地,所述恒定电压信号线包括扫描线、参考信号线、电源线、发光控制线中的至少一种。
可选地,所述电源线和所述数据线同层布置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910032958.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的