[发明专利]清洁组合物、清洁装置和使用其制造半导体器件的方法在审
申请号: | 201910034834.7 | 申请日: | 2019-01-15 |
公开(公告)号: | CN110120358A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 朴美贤;吴政玟;金伶厚;李晓山;金兑根;延蕊林;吴海琳;郑址洙;赵旼熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;程月 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁组合物 半导体器件 表面活性剂 摩尔分数 清洁装置 有机溶剂 去离子水 制造 | ||
1.一种清洁组合物,所述清洁组合物包括:
表面活性剂;
去离子水;以及
有机溶剂,
其中,表面活性剂以0.28M至0.39M的浓度或0.01至0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中,
其中,有机溶剂以7.1M至7.5M的浓度或0.27至0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。
2.根据权利要求1所述的清洁组合物,其中,表面活性剂是硫酸盐类表面活性剂。
3.根据权利要求1所述的清洁组合物,其中,表面活性剂由下面的式1表示:
(R1-O)a-(R2-O)b-SO3NH4 (1)
其中,在式1中,
a和b均为0至18的整数,前提条件是a和b不同时为0,
R1和R2均是具有1个至18个碳原子的取代或未取代的烷基、具有1个至18个碳原子的取代或未取代的亚烷基、具有6个至14个碳原子的取代或未取代的芳基或者具有6个至14个碳原子的取代或未取代的亚芳基,并且
当a为3至18时,(R1-O)无规或以段形式重复,当b为3至18时,(R2-O)无规或以段形式重复。
4.根据权利要求3所述的清洁组合物,其中:
a为1,
R1具有16个碳原子,
b为0,并且
表面活性剂为十六烷基硫酸铵。
5.根据权利要求1所述的清洁组合物,其中,有机溶剂包括异丙醇、乙醇、甲醇、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、四氢呋喃、乙二醇、丙二醇、N-甲基-2-吡咯烷酮或N-乙基-2-吡咯烷酮。
6.一种用于清洁基底的清洁装置,所述清洁装置包括:
卡盘,所述基底在卡盘上是可容置的;
喷嘴,构造为将清洁液提供到基底;以及
清洁液供应部,构造为将清洁液供应到喷嘴,并且构造为通过搅拌清洁液来产生清洁颗粒,
其中,清洁液供应部包括:电导率仪,构造为测量清洁液的电导率;以及恒温器,构造为当清洁液的电导率降低时冷却清洁液。
7.根据权利要求6所述的清洁装置,其中,清洁液供应部还包括:
源供应部,构造为存储清洁液的化学品源;
去离子水供应部,构造为存储用于稀释化学品源的去离子水;以及
清洁液循环器,构造为通过使去离子水和化学品源混合来在清洁液中产生清洁颗粒。
8.根据权利要求7所述的清洁装置,其中,清洁液循环器包括:
化学品罐,构造为存储清洁液;
循环管线,构造为使化学品罐中的清洁液循环;以及
泵,连接到循环管线并且构造为泵送清洁液,
其中,电导率仪与化学品罐结合。
9.根据权利要求8所述的清洁装置,其中:
清洁液循环器还包括构造为搅拌化学品罐中的清洁液的搅拌器,并且
搅拌器包括具有穿孔的多孔管,所述穿孔朝向化学品罐的顶部开口。
10.根据权利要求8所述的清洁装置,其中,恒温器连接到循环管线。
11.根据权利要求7所述的清洁装置,其中,当使去离子水和化学品源混合时,恒温器加热化学品源。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造