[发明专利]清洁组合物、清洁装置和使用其制造半导体器件的方法

说明书

公开了清洁组合物、清洁装置和制造半导体器件的方法，清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。

于2018年2月7日在韩国知识产权局提交的发明名称为“Cleaning Composition,Cleaning Apparatus,and Method of Fabricating Semiconductor Device Using theSame(清洁组合物、清洁装置和使用其制造半导体器件的方法)”的第10-2018-0015263号韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

实施例涉及清洁组合物、清洁装置和使用所述清洁组合物和所述清洁装置来制造半导体器件的方法。

背景技术

随着半导体器件变得高度集成，可以形成精细图案和多层电路结构。

发明内容

实施例可以通过提供清洁组合物来实现，所述清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。

实施例可以通过提供用于清洁基底的清洁装置来实现，所述清洁装置包括：卡盘，基底在卡盘上是可容置的；喷嘴，构造为将清洁液提供到基底；以及清洁液供应部，构造为将清洁液供应到喷嘴，并且构造为通过搅拌清洁液来产生清洁颗粒，其中，清洁液供应部包括构造为测量清洁液的电导率的电导率仪和构造为当清洁液的电导率降低时冷却清洁液的恒温器。

实施例可以通过提供制造半导体器件的方法来实现，所述方法包括：制备清洁液；使用清洁液来清洁基底；以及干燥基底，其中，制备清洁液的步骤包括将去离子水提供到化学品罐中以及通过在去离子水中混合清洁液的化学品源来产生清洁液，其中，清洁液包括表面活性剂、去离子水和有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.004M至约0.04M的浓度或约0.0003至约0.0004的摩尔分数包括在清洁液中，其中，有机溶剂以约0.17M至约0.57M的浓度或约0.005至约0.008的摩尔分数包括在清洁液中。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将明显，在附图中：

图1示出了根据本公开的示例性实施例的用于制造半导体器件的设备的平面图；

图2示出了图1中所示的清洁装置的示例的示意图；

图3示出了呈现化学溶液和标准清洁1(SC-1)溶液的清洁效率根据工艺颗粒的尺寸的变化的图；

图4示出了图2中所示的化学溶液供应部的示例的示意图；

图5A和图5B示出了图4的清洁颗粒的示例的透视图；

图6示出了呈现具有清洁颗粒的化学溶液的工艺颗粒去除效率和不具有清洁颗粒的化学溶液的工艺颗粒去除效率的图；

图7示出了呈现清洁颗粒对工艺颗粒的初级颗粒去除效率根据清洁颗粒的高度的变化的图；

图8示出了呈现清洁颗粒对工艺颗粒的二级颗粒去除效率根据图4的循环管线和泵中的化学溶液的压强的变化的图；

图9示出了使用图1的设备制造半导体器件的方法的流程图；

图10示出了制备图9的化学溶液的步骤的流程图；

图11示出了图4的清洁颗粒的种子的透视图；