[发明专利]一种用于提高跨阻放大器电源抑制比的增强电路有效
| 申请号： | 201910036010.3 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109768777B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 甄少伟;周万礼;章玉飞;胡怀志;路统霄;罗萍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/08;H03F3/45 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 放大器 电源 抑制 增强 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于提高跨阻放大器电源抑制比的增强电路，其特征在于，包括第一电容、第二电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、电流源和偏置电压源，
第一PMOS管的栅极连接第一NMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极和漏极，其漏极作为所述增强电路的输出端连接第四PMOS管的源极和所述跨阻放大器的电源端并通过第一电容后接地，其源极作为所述增强电路的输入端连接第二PMOS管和第三PMOS管的源极以及电流源的正极并连接外部电源；
第四PMOS管的栅极连接偏置电压源的正极，其漏极连接第一NMOS管的源极、第三NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极和漏极；
第三NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极和电流源的负极并通过第二电容后接地，其源极连接第二NMOS管的源极和偏置电压源的负极并接地；
第二NMOS管的宽长比与第三NMOS管的宽长比之比小于第二PMOS管的宽长比与第三PMOS管的宽长比之比。
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