[发明专利]3D NAND存储器位线的电阻测试方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，包括：

提供失效晶圆，所述失效晶圆包括衬底和位于衬底正面上的3D NAND存储器，所述3DNAND存储器包括若干位线和与每个位线相应连接的若干金属插塞；

选取多根位线作为目标位线，将多根目标位线通过金属线路连接；

从衬底的背面平坦化所述衬底，直至暴露所述与目标位线连接的金属插塞；

对目标位线所对应的金属插塞进行测试，获得目标位线的电阻值。

2.如权利要求1所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，所述金属线路采用聚焦离子束工艺形成。

3.如权利要求2所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，所述聚焦离子束工艺采用的离子为金属离子。

4.如权利要求3所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，所述金属离子为钨离子、钴离子、钛离子或铜离子。

5.如权利要求3所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，所述3D NAND存储器还包括位于衬底正面上的隔离层和控制栅交替层叠的堆叠结构，位于堆叠结构中的沟道孔，位于沟道孔中的存储结构；覆盖堆叠结构的介质层。

6.如权利要求5所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，所述若干位线位于堆叠结构上的介质层中，若干位线相互平行，且每一根位线通过一金属插塞与相应的存储结构连接。

7.如权利要求6所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，通过聚焦离子束工艺形成金属线路时，先通过聚焦离子束刻蚀介质层，形成暴露多根目标位线表面的开口，然后在开口底部继续通过聚焦离子束形成金属线路，将多根目标位线相连接。

8.如权利要求1所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，所述目标位线的数量大于等于3根。

9.如权利要求8所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，采用纳米探针台对目标位线所对应的金属插塞进行测试。

10.如权利要求9所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，所述对目标位线所对应的金属插塞进行测试，获得目标位线的电阻过程包括：对三根目标位线两两施加测试电压获得相应的测试电阻；根据测试电压和测试电阻计算获得每根目标位线的电阻。

11.如权利要求1所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，从背面平坦化所述失效晶圆采用化学机械研磨工艺。

12.如权利要求1所述的3D NAND存储器位线的电阻测试方法，其特征在于，所述位线的长度为0.5～8毫米，位线的宽度为30～80纳米，相邻位线的间距为15～25nm。