[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

栅电极，所述栅电极在衬底上沿第一方向延伸；

第一有源图案，所述第一有源图案在所述衬底上沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸以穿过所述栅电极，所述第一有源图案包括锗；

外延图案，所述外延图案位于所述栅电极的侧壁上；

第一半导体氧化物层，所述第一半导体氧化物层位于所述第一有源图案与所述栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及

第二半导体氧化物层，所述第二半导体氧化物层位于所述栅电极与所述外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成，

其中，所述第一半导体材料的锗的浓度小于所述第一有源图案的锗的浓度，并且

其中，所述第一半导体材料的锗的浓度与所述第二半导体材料的锗的浓度不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体材料的锗的浓度低于所述外延图案的锗的浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述外延图案包括硅锗。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料的锗的浓度低于所述第二半导体材料的锗的浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料的硅的浓度大于所述第一有源图案的硅的浓度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体材料的硅的浓度大于所述外延图案的硅的浓度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体氧化物层沿着所述第一有源图案的外表面的轮廓延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第二有源图案，所述第二有源图案在所述第一有源图案上方沿所述第二方向延伸并穿过所述栅电极，所述第二有源图案包括锗；以及

第三半导体氧化物层，所述第三半导体氧化物层位于所述第二有源图案与所述栅电极之间，所述第二半导体氧化物层通过第三半导体材料的氧化而形成，

其中，所述第三半导体材料的锗的浓度小于所述第二有源图案的锗的浓度，并且

其中，所述第三半导体材料的锗的浓度与所述第二半导体材料的锗的浓度不同。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

鳍形突起，所述鳍形突起从所述衬底的上表面突出并沿所述第二方向延伸；以及

第三半导体氧化物层，所述第三半导体氧化物层位于所述鳍形突起与所述栅电极之间，并且通过第三半导体材料的氧化而形成，

其中，所述第三半导体材料的锗的浓度小于所述鳍形突起的锗的浓度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

场绝缘层，所述场绝缘层围绕所述鳍形突起的侧壁的至少一部分，

其中，所述第三半导体氧化物层沿着通过所述场绝缘层暴露的所述鳍形突起的外表面的轮廓延伸。

11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一有源图案，所述第一有源图案设置在衬底上方并与所述衬底间隔开，所述第一有源图案包括锗；

第一栅电极，所述第一栅电极位于所述衬底与所述第一有源图案之间；

第一外延图案，所述第一外延图案设置在所述第一有源图案的侧壁和所述第一栅电极的侧壁上；

第一半导体氧化物层，所述第一半导体氧化物层位于所述第一有源图案与所述第一栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及

第二半导体氧化物层，所述第二半导体氧化物层位于所述第一栅电极与所述第一外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成，

其中，所述第一半导体材料的锗的浓度小于所述第一有源图案的锗的浓度，并且

其中，所述第一半导体材料的锗的浓度与所述第二半导体材料的锗的浓度不同。