[发明专利]光学邻近修正模型、光学邻近修正方法

说明书

一种光学邻近修正模型、光学邻近修正方法，所述光学邻近修正模型含有曲率校正项，所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量。本发明所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量，因此，通过所述OPC模型获得模拟图形后，即可在模拟图形中显示曲率异常的现象，以提高通过光学邻近修正模型所获得的模拟图形与物理晶圆上实际图形的匹配度，相应的，在对晶圆版图进行光学邻近修正时，能够根据模拟图形轮廓上各位置的实际曲率情况进行相应修正，从而提高了光学邻近修正的精准度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正模型、光学邻近修正方法。

背景技术

在集成电路制造工艺中，光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的技术之一。相对于其他的单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义，光刻技术的工艺精确度直接影响到半导体产品的良率。

在光刻工艺开始之前，晶圆版图会先通过特定的设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光(例如为248纳米的紫外光)，将掩膜版上的图形复制到生产所用的晶圆上。

但是，随着集成电路设计的高速发展，半导体器件的尺寸不断缩小，在将图形转移到晶圆上的过程中会发生失真现象，在晶圆上所形成的图形相较于掩模版图形会出现变形和偏差。出现失真现象的原因主要是光学邻近效应(optical proximity effect，OPE)。

为了解决上述问题，通常采用光学邻近修正(optical proximity correction，OPC)方法，对光刻过程中的误差进行修正，OPC方法即为对掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修正，使得修正补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应，因此，采用由OPC后的晶圆版图所制成的掩膜版，经过光刻后，在晶圆上能够得到预期的目标图形。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正模型、光学邻近修正方法，提高光学邻近修正的精准度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学邻近修正模型，所述光学邻近修正模型含有曲率校正项，所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量。

可选的，所述曲率校正项是关于所述晶圆版图图形轮廓上各位置光强曲率和高斯函数的卷积的函数。

可选的，采用公式(Ⅰ)作为所述曲率校正项，

其中，ΔT为光阻阈值的变化量，c_i为拟合系数，I(x,y)为所述晶圆版图图形轮廓上各位置对应的空间光强，G_Si为高斯函数。

可选的，所述光学邻近修正模型为紧密光阻模型。

可选的，所述光学邻近修正模型适于负光刻胶。

可选的，所述光学邻近修正模型适用于对所述晶圆版图中的孔洞层版图进行光学邻近修正。

可选的，所述孔洞层版图的图形包括相邻的矩形图形和方形图形。

相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正方法，包括：提供具有图形的晶圆版图；采用本发明实施例所述的光学邻近修正模型，对所述晶圆版图中的图形进行光学邻近修正，获得掩膜版图。

可选的，所述掩膜版图上的图形适于通过负光刻胶实现图形传递。

可选的，所述提供晶圆版图的步骤中，所述晶圆版图为孔洞层版图。

可选的，所述提供晶圆版图的步骤中，所述孔洞层版图的图形包括相邻的矩形图形和方形图形。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：