[发明专利]具有多输入多输出（MIMO）结构的低噪声放大器电路

权利要求书

1.一种低噪声放大器电路，所述低噪声放大器电路包括：

第一低噪声放大器，包括：与第一并联共源极结构叠接的第一共栅极结构，并被配置为：选择性地放大第一频带信号和第二频带信号之中的一个频带信号；

第二低噪声放大器，包括：与第二并联共源极结构叠接的第二共栅极结构，并被配置为：选择性地放大第三频带信号和第四频带信号之中的一个频带信号；

输出双刀双掷电路，包括：连接到所述第一低噪声放大器的第一输入端、连接到所述第二低噪声放大器的第二输入端、被配置为输出通过所述第一输入端和所述第二输入端输入的信号的第一输出端和第二输出端；

控制电路，被配置为：响应于多输入多输出通信方案或载波聚合通信方案，对所述第一低噪声放大器和所述第二低噪声放大器执行放大控制，对所述输出双刀双掷电路执行切换控制。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其中，所述第一低噪声放大器包括：

第一共源极放大器电路，包括第一并联共源极晶体管，并被配置为放大所述第一频带信号和所述第二频带信号之中的所述一个频带信号；

第一共栅极放大器电路，包括与所述第一并联共源极晶体管叠接的第一共栅极晶体管，并被配置为放大已经由所述第一共源极放大器电路放大的所述一个频带信号。

3.根据权利要求2所述的低噪声放大器电路，其中，所述第二低噪声放大器包括：

第二共源极放大器电路，包括第二并联共源极晶体管，并被配置为放大所述第三频带信号和所述第四频带信号之中的选择的所述一个频带信号；

第二共栅极放大器电路，包括与所述第二并联共源极晶体管叠接的第二共栅极晶体管，并被配置为放大已经由所述第二共源极放大器电路放大的选择的所述一个频带信号。

4.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其中，所述第一低噪声放大器包括：第一输出阻抗电路，连接在所述第一低噪声放大器的输出端与第一电源端之间，

所述第一输出阻抗电路包括：

第一线圈，连接在所述第一低噪声放大器的所述输出端与所述第一电源端之间；

第一增益可变电阻器，并联连接到所述第一线圈；

第一频率可变电容器，并联连接到所述第一线圈；

第一可变阻抗电路，连接到所述第一低噪声放大器的所述输出端，并被配置为改变所述第一低噪声放大器的输出阻抗。

5.根据权利要求4所述的低噪声放大器电路，其中，所述第二低噪声放大器包括：第二输出阻抗电路，连接在所述第二低噪声放大器的输出端与第二电源端之间，

所述第二输出阻抗电路包括：

第二线圈，连接在所述第二低噪声放大器的所述输出端与所述第二电源端之间；

第二增益可变电阻器，并联连接到所述第二线圈；

第二频率可变电容器，并联连接到所述第二线圈；

第二可变阻抗电路，连接到所述第二低噪声放大器的所述输出端，并被配置为改变所述第二低噪声放大器的输出阻抗。

6.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其中，所述输出双刀双掷电路包括：

第一开关，连接在所述第一输入端与所述第一输出端之间；

第二开关，连接在所述第一输入端与所述第二输出端之间；

第三开关，连接在所述第二输入端与所述第一输出端之间；

第四开关，连接在所述第二输入端与所述第二输出端之间。

7.根据权利要求6所述的低噪声放大器电路，其中，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关和所述第四开关中的每个具有包括三个开关元件的T形结构。