[发明专利]具有多输入多输出（MIMO）结构的低噪声放大器电路

说明书

提供具有多输入多输出(MIMO)结构的低噪声放大器电路。低噪声放大器电路包括：第一低噪声放大器，包括与并联共源极结构叠接的共栅极结构以选择性地放大第一频带信号和第二频带信号之中的频带信号；第二低噪声放大器，包括与并联共源极结构叠接的共栅极结构以选择性地放大第三频带信号和第四频带信号之中的频带信号；输出DPDT电路，包括：连接到第一低噪声放大器的第一输入端、连接到第二低噪声放大器的第二输入端、用于选择性地输出通过第一输入端和第二输入端输入的信号的第一输出端和第二输出端；控制电路，响应于预定的通信方案，对第一低噪声放大器和第二低噪声放大器执行放大控制，对输出DPDT电路执行切换控制。

本申请要求于2018年4月26日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0048423号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种具有能够支持载波聚合(CA)的多输入多输出(MIMO)结构的低噪声放大器电路。

背景技术

最近已经根据预期使用的国家、频带和应用将接收器的前端结构制造为具有各种形式的模块。特别地，为了提高高配置终端中的接收灵敏度，在模块中开发具有包括低噪声放大器(LNA)的L-PAMiD(LNA+PAMiD)形式的结构，其中，L-PAMiD(LNA+PAMiD)形式是PAMiD(具有集成双工器的功率放大器模块)形式。

L-PAMiD模块通常包括低频带类型、中频带类型和高频带类型，并且需要支持的频带也是多样的。特别地，在高频带类型的情况下，主要使用B30/B40/B41/B7。B40/B41支持时分双工(TDD)方案，B30/B7支持频分双工(FDD)方案。

此外，为了实现高数据速率，B40/B41和B30/B7应支持载波聚合(CA)。为了增加高频带L-PAMiD类型的模块的接收灵敏度，滤波器(例如，表面声波(SAW)/体声波(BAW))的插入损耗性能也是重要的，但LNA的噪声系数(NF)性能也是重要的。

同时，在移动通信中，最近需要支持载波聚合(CA)以处理高数据速率。这需要针对存在于相似频带中的多个信号的不同的LNA。例如，为了对B40(2.3GHz至2.4GHz)和B41(2.5GHz至2.7GHz)执行载波聚合(CA)，需要针对B40和B41优化的两个LNA。此外，为了对B30(2.35GHz至2.36GHz)和B7(2.62GHz至2.69GHz)执行载波聚合(CA)，类似地需要两个LNA。也就是说，为了支持针对四个频带(B30/B40/B41/B7)的载波聚合(CA)，需要支持四个输入和两个输出的LNA。

作为一个传统的低噪声放大器电路，存在在输入端使用单刀多掷(SPMT)开关的多输入LNA。

在这样的LNA结构的情况下，由于开关损耗对整体的噪声系数具有重要的影响，所以存在可能发生由于开关损耗引起的噪声系数(NF)的退化的问题。

此外，在传统的低噪声放大器电路在输入端使用开关的情况下，当使用的开关元件的数量增加时，存在开关损耗增加的问题。

作为另一个传统的噪声较低的放大器电路，存在输入端分别用于每个频带并且输出端被共享的结构。

这样的LNA结构是用于实现多输入多输出(MIMO)的通常的结构，由于该结构需要在每个输入端中实现匹配电路，所以从模块角度考虑需要许多匹配组件，并且由于输出端被共享，所以隔离特性退化。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式介绍下面在具体实施方式中进一步描述的选择的构思。本发明内容不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。