[发明专利]一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法

权利要求书

1.一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：根据BOSA的测试数据或无光条件下的RSSI得到APD的反向击穿电压V_br；

S2：设置一个初值工作偏压，选择固定输入光功率，按预设的持续时间测试当前的误码率或误码数，之后以设定的步进值增大工作偏压重复测试，最少测试3个点，直到误码率或误码数增大为止，具体的步骤为：

S21：设置V_mix与V_max作为变化范围上下限，满足V_mix＜V_op＜V_max＜V_br；

S22：在固定输入光功率条件下，测试工作电压值为V_mix时的误码率或误码数；

S23：开始按固定值增大偏压值重复测试误码率或误码数，直到误码率或误码数出现增大，至少测试3次；

S3：以工作偏压为x，误码率为y，解一元二次方程y＝ax²+bx+c，得到a、b、c三个系数；

S4：根据得到的a、b、c三个系数，计算极值得到对应的APD DAC；

S5：利用APD DAC值做灵敏度测试，如合格通过，将当前温度的APD DAC与APD DAC LUK表中对应温度值相减和平移后更新到APD DAC LUK中，如不合格则失败。

2.根据权利要求1所述的一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，其特征在于，所述初值工作偏压为V_br-4V。

3.根据权利要求1所述的一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，其特征在于，所述持续时间为5s。

4.根据权利要求1所述的一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，其特征在于，所述步进值为0.5V。

5.根据权利要求1所述的一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，其特征在于，根据无光条件下的RSSI得到APD的反向击穿电压V_br，包括如下步骤：

(1)使用一个初始偏压V₀作为APD的工作电压，需保证对所有的APD，V₀＜V_br，RX输入光设置为0，测试当前的RSSI，判断I_D是否达到10μA，如当前电路的RSSI采用1∶1电流镜，只需判断流入驱动芯片RSSI管脚的电流是否超过10μA即可，此时的工作电压即为V_br；

(2)或者，对特定的驱动芯片，规格书中定义1LSB＝0.03125μA/bit，则只需判断RSSIADC：F0/F1h是否大于0140h即可，如果RSSI ADC小于0140h，以固定的步进值增大工作电压，直至RSSI ADC达到0140h为止，此时的工作电压即为V_br。

6.根据权利要求1所述的一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，其特征在于，根据BOSA的测试数据得到APD的反向击穿电压V_br，包括如下步骤：

(1)用AIV将BOSA的APD V_br具体值测出来，导入到数据库中；

(2)调试时直接调用数据库中的V_br。

7.根据权利要求1所述的一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，其特征在于，选择固定输入光功率的方法为：根据APD在不同输入光功率下误码数或误码率的变化趋势，选择在较短测试时间内能够出现较大误码率或误码数时输入光功率作为固定输入光功率。

8.根据权利要求1所述的一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，其特征在于，如果步骤S2的测试点小于3个点误码率出现增大，将初始工作偏压减小1V后重复步骤S2。