[发明专利]一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法

说明书

本发明公开了一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，包括以下步骤：S1：根据BOSA的测试数据或无光条件下的RSSI得到APD的反向击穿电压V_br；S2：设置一个初值工作偏压，选择固定输入光功率，按预设的持续时间测试当前的误码率或误码数，之后以设定的步进值步进增大工作偏压重复测试，最少测试3个点，直到误码率或误码数出现增大为止；S3：以工作偏压为x，误码率为y，解一元二次方程y＝ax²+bx+c，得到a、b、c三个系数；S4：根据得到的a、b、c三个系数，计算极值得到对应的APD DAC；S5：利用APD DAC值做灵敏度测试，如合格通过，将当前温度的APD DAC与APD DAC LUK表中对应温度值相减和平移后更新到APDDAC LUK中，如不合格则失败。

技术领域

本发明涉及光电二极管领域，尤其涉及一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法。

背景技术

APD是在PIN光电二极管基础上进行性能提升，对比PIN光电二极管，在I层后又加了一层P型材料。当电压较低时，大部分电压落在PN+区，当电压增加时，耗尽区宽度增加，直PN+结上的电压低于雪崩击穿电压5％～10％时才停止。I层为光吸收区，光子在此产生光电流，PN+区为雪崩区，光电流进入后在高电场作用下碰撞电离，产生二次空穴电子对，二次空穴又可能再次碰撞电离，这样可能产生几十个或几百个新的空穴电子对，即所谓的倍增效应。

APD这种结构导致其比PIN光电二极管具有更高的灵敏度，但是电路也更复杂，需要额外的高压驱动。通常APD有一个最佳工作电压，小于此工作电压倍增因子M较小，灵敏度变低；大于此工作电压，倍增因子变大的同时噪声也放大，信噪比变低，灵敏度也会下降。通常，按照经验设置工作电压，如小于反向击穿电压3V或0.9倍反向击穿电压，但特殊情况下需要找到最佳的灵敏度点，然而经验值与最佳值存在一定偏差，无法作为最佳工作电压。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出一种判断10G EPON的雪崩光电二极管APD最佳工作电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：根据BOSA的测试数据或无光条件下的RSSI得到APD的反向击穿电压V_br；S2：设置一个初值工作偏压，选择固定输入光功率，按预设的持续时间测试当前的误码率或误码数，之后以设定的步进值步进增大工作偏压重复测试，最少测试3个点，直到误码率或误码数出现增大为止；S3：以工作偏压为x，误码率为y，解一元二次方程y＝ax²+bx+c，得到a、b、c三个系数；S4：根据得到的a、b、c三个系数，计算极值得到对应的APD DAC；S5：利用APD DAC值做灵敏度测试，如合格通过，将当前温度的APD DAC与APD DAC LUK表中对应温度值相减和平移后更新到 APDDAC LUK中，如不合格则失败。采用驱动芯片进行测试时，可采用APD DAC量化加在 APD上工作偏压，其值与电压值成正比关系，通过设定不同的DAC值可控制工作偏压x的变化量。