[发明专利]一种数据线保护器在审
申请号: | 201910043927.6 | 申请日: | 2019-01-17 |
公开(公告)号: | CN111446223A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 刘美驿 | 申请(专利权)人: | 上海神沃电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L25/16;H01R13/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数据线 保护 | ||
本发明提供一种数据线保护器,包括:引线架具有芯片基板、IC芯片外接端口、MOS芯片外接端口;MOS芯片,固定于芯片基板的上表面,MOS芯片具有第一外接焊盘和IC芯片连接焊盘;数据线保护IC芯片,固定于MOS芯片的上表面,数据线保护IC芯片具有第二外接焊盘和MOS芯片连接焊盘;IC芯片外接端口与第二外接焊盘连接,MOS芯片外接端口与第一外接焊盘连接,IC芯片连接焊盘与MOS芯片连接焊盘连接。本发明的数据线保护器集过流、短路、过温保护于一体,体积小、内阻小、通大电流、精度高、功耗低、温升低、反应速度快、稳定可靠,还防振、耐冲击、防潮、防压、耐老化,耐高低温、不易受环境影响,保护后可自恢复,保质期长,器件动作次数的寿命长,节约生产成本。
技术领域
本发明属于半导体集成封装领域,特别是涉及一种数据线保护器。
背景技术
在当前大数据时代、智能手机、智能家电及智能穿带是现在与未来的发展方向,现有的数据线保护器件在应用领域已经受到了很大的限制。
目前还没有集过流、过温保护于一体的数据线保护器件。公知的应用在数据线保护上的保护器件主要有PTC、Breaker。PTC本身是高分子热敏材料,受环境温度影响比较大,保护动作时间也慢,多次动作后内阻发生变化而增大,在动作后保持状态下自身一直在发热,漏电电流大,保持动作功率一般在1.2W左右,这给数据线插头寿命造成了一定的影响,并且在环境温度比较高时,PTC的保持电流就会下降,如受到外力挤压就不能正常起到保护作用,稳定性降低;Breaker是一种机械式的微型开关,它的体积大,它在使用中怕受到强力振动,不能受到外力挤压,在环境处于低温度时通过电流大于高温时的十几倍,只能在高温环境下起到保护作用,在高低温变化环境下动作的电流与温差特别大,稳定性差。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种数据线保护器,所述数据线保护器集过流、过温保护于一体,体积小、内阻小、通大电流、精度高、功耗低、温升低、反应速度快、稳定可靠,还防振、耐冲击、防潮、防压、耐老化,耐高低温、不易受环境影响,保护后可自恢复,保质期长,器件动作次数的寿命长,节约生产成本。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种数据线保护器,包括:
引线架,所述引线架具有芯片基板、IC芯片外接端口、MOS芯片外接端口;
MOS芯片,固定于所述芯片基板的上表面,所述MOS芯片具有第一外接焊盘和IC芯片连接焊盘;
数据线保护IC芯片,固定于所述MOS芯片的上表面,所述数据线保护IC芯片具有第二外接焊盘和MOS芯片连接焊盘;
所述IC芯片外接端口与所述第二外接焊盘连接,所述MOS芯片外接端口与所述第一外接焊盘连接,所述IC芯片连接焊盘与所述MOS芯片连接焊盘连接。
可选地,所述MOS芯片的种类包括双MOS芯片。
可选地,所述双MOS芯片的种类包括双NMOS芯片。
可选地,所述IC芯片外接端口包括负极外接端口和外控保护端口,所述MOS芯片外接端口包括第一源极外接端口和第二源极外接端口。
可选地,所述第一源极外接端口和所述第二源极外接端口包括至少一个与外界连接的端口。
可选地,所述第一源极外接端口和所述负极外接端口位于所述芯片基板的左侧,所述第二源极外接端口和所述外控保护端口位于所述芯片基板的右侧。
可选地,所述第一外接焊盘包括第一源极端焊盘和第二源极端焊盘,所述IC芯片连接焊盘包括:第三源极端焊盘、第四源极端焊盘、第一栅极端焊盘、第二栅极端焊盘、第一漏极端焊盘。
可选地,所述第一源极端焊盘位于所述MOS芯片的左侧区域,所述第二源极端焊盘位于所述MOS芯片的右侧区域。
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