[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及其扩散装置在审
申请号: | 201910044200.X | 申请日: | 2019-01-17 |
公开(公告)号: | CN109545645A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 周腾;邱克强;刘正坤;徐向东;洪义麟;付绍军 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐丽;李海建 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大装置 等离子体刻蚀装置 等离子体扩散 栅栏 等离子体发生器 等离子体区域 等离子体源 扩散装置 密封连接 出口端 进口端 输出端 中空的 出口 进口 | ||
本发明公开了一种等离子体扩散装置,其特征在于,包括:中空的端口放大装置(1),所述端口放大装置(1)的进口端用于与等离子体源输出端密封连接,所述端口放大装置(1)的进口的面积小于出口的面积;栅栏(5),所述栅栏(5)安装在所述端口放大装置(1)的出口端,且与所述出口相对。通过设置端口放大装置可在一定程度上增大小型等离子体发生器形成的等离子体区域。本发明还公开了一种具有上述等离子体扩散装置的等离子体刻蚀装置。
技术领域
本发明涉及等离子体的技术领域,特别涉及一种等离子体刻蚀装置及其扩散装置。
背景技术
等离子体刻蚀技术在衍射光学、集成电路、芯片、显示屏、建筑等领域有着广泛应用。等离子体刻蚀首先通过射频、微波、直流高压等激励源将反应气体电离,再通过磁场及电场加速带电粒子,轰击物件表面,实现对物件表面物质或结构的均匀刻蚀。以芯片行业为例,等离子体刻蚀常被用来刻蚀半导体基片(如硅)或者涂覆其上的光刻胶等有机材料。对于小于300mm(对应12inch)直径晶圆或薄基底,已有成熟的等离子体刻蚀设备。随着使用需求的增加,在显示屏、光栅等领域需要对尺寸大于800mm,甚至大于1000mm的基底进行等离子体刻蚀,一般小型等离子体发生器所直接产生等离子体面积无法达到使用要求。
如何使用小口径等离子体源,实现对超出现有方法和设备尺寸多得多的基底的等离子体刻蚀,并且保证大尺寸范围内的均匀性或深度可控性,成为了大型显示屏和大口径光栅发展的一个重要问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种等离子体扩散装置,以增大小型等离子体发生器形成的等离子体区域。此外,本发明的另一目的在于提供一种具有上述等离子体扩散装置的等离子体刻蚀装置。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种等离子体扩散装置,其包括:
中空的端口放大装置,所述端口放大装置的进口端用于与等离子体源输出端密封连接,所述端口放大装置的进口的面积小于出口的面积;
栅栏,所述栅栏安装在所述端口放大装置的出口端,且与所述出口相对。
优选的,上述的等离子体扩散装置中,所述端口放大装置的进口与所述等离子体源输出端的端口大小相同,且所述端口放大装置的进口向所述端口放大装置的出口渐扩。
优选的,上述的等离子体扩散装置中,还包括具有与所述端口放大装置的出口大小相同的第一通孔的挡板,所述挡板与所述端口放大装置的出口端密封可拆卸连接,且所述第一通孔与所述出口相对,所述栅栏安装在所述挡板上。
优选的,上述的等离子体扩散装置中,所述挡板与所述端口放大装置通过氟橡胶圈密封连接。
优选的,上述的等离子体扩散装置中,还包括:
安装在所述挡板上的衬板,所述衬板具有与所述第一通孔相对且大小相同的第二通孔;
压板,所述压板与所述衬板相连,所述栅栏可拆卸的安装在所述衬板与所述压板之间。
优选的,上述的等离子体扩散装置中,所述衬板与所述压板通过紧定螺钉连接。
优选的,上述的等离子体扩散装置中,所述栅栏通过锁紧螺钉固定在所述衬板与所述压板之间。
优选的,上述的等离子体扩散装置中,所述栅栏为石墨条。
优选的,上述的等离子体扩散装置中,所述石墨条的两个侧面均为阶梯式结构,且相邻的所述石墨条的侧面能够搭接配合。
一种等离子体刻蚀装置,包括等离子体源,其还包括上述任一项所述等离子体扩散装置。
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