[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部露出的衬底上形成有隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，所述隔离层围绕所述鳍部且所述隔离层的顶面低于鳍部的顶面；所述隔离层包括沿垂直于鳍部延伸方向位于相邻鳍部之间的第一部分，以及沿鳍部延伸方向位于相邻鳍部之间的第二部分；

在所述第一部分上形成横跨所述鳍部的伪栅结构，包括伪栅层，所述伪栅结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁以及所述第一部分的部分顶部，被所述伪栅结构覆盖的鳍部用于作为导电沟道；

在所述伪栅结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层；

在所述伪栅结构露出的衬底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅结构顶部；

去除所述伪栅层，在所述层间介质层内形成开口，所述开口的底部暴露出所述第一部分；

去除所述开口露出的部分厚度隔离层的第一部分，在所述第一部分内形成凹槽；

在所述凹槽和开口内形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述栅极结构用于控制鳍式场效应晶体管导电沟道的开启和关断。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述开口露出的部分厚度隔离层后，所述凹槽的深度为5nm至20nm。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离层内形成所述凹槽之前，还包括：在所述开口的侧壁上形成内壁层；

在所述隔离层内形成所述凹槽的步骤包括：以所述内壁层为掩膜，去除所述内壁层露出的部分厚度隔离层；

在所述隔离层内形成所述凹槽后，还包括：去除所述内壁层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构的步骤中，所述伪栅结构还包括伪栅氧化层，位于所述伪栅层底部；

在所述隔离层内形成所述凹槽的步骤包括：以所述内壁层为掩膜，去除所述内壁层露出的伪栅氧化层和部分厚度隔离层；

去除所述内壁层后，还包括：去除所述开口露出的剩余伪栅氧化层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述内壁层后，采用湿法刻蚀工艺去除所述开口露出的剩余伪栅氧化层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀溶液为稀释的氢氟酸溶液，稀释的氢氟酸溶液中氢氟酸的体积百分比为0.5％至5％。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述开口的侧壁上形成内壁层的步骤中，沿垂直于开口侧壁的方向，所述内壁层的宽度为3nm至10nm。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述内壁层的材料为无定形碳或无定型锗。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述内壁层的材料为无定形碳，采用氧化工艺去除所述内壁层；

或者，所述内壁层的材料为无定型锗，采用湿法刻蚀工艺去除所述内壁层。

10.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述内壁层的步骤包括：形成保形覆盖所述开口底部和侧壁的内壁材料层；

去除位于所述开口底部的内壁材料层，保留位于所述开口侧壁上的剩余内壁材料层作为所述内壁层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述内壁材料层。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用无掩膜干法刻蚀工艺去除位于所述开口底部的内壁材料层。