[发明专利]图像传感器封装及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910047847.8 申请日: 2017-02-07
公开(公告)号: CN110034141B 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 缪佳君;钱胤;林昭弘;陆震伟;戴森·H·戴;张明;李津 申请(专利权)人: 豪威科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘媛媛
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 封装 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器封装,其包括:

图像传感器,其包含安置于半导体材料中的像素阵列;

第一透明屏蔽物,其粘附到所述半导体材料,其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述第一透明屏蔽物之间;

第二透明屏蔽物,其中所述第一透明屏蔽物安置于所述像素阵列与所述第二透明屏蔽物之间;及

光阻挡层,其安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间,其中所述光阻挡层经安置以防止光从所述第一透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述像素阵列中。

2.根据权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述第一透明屏蔽物及所述第二透明屏蔽物的横向边界延伸超过所述像素阵列的横向边界,且其中所述光阻挡层安置于所述第一透明屏蔽物及所述第二透明屏蔽物的延伸超过所述像素阵列的所述横向边界的部分之间。

3.根据权利要求1所述的图像传感器封装,其进一步包括高折射率材料,所述高折射率材料安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间且横向安置于所述光阻挡层的两个部分之间。

4.根据权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述光阻挡层安置于所述第二透明屏蔽物中的凹入区域中,其中所述凹入区域安置于所述第二透明屏蔽物的与被照射侧相对的侧上,且其中所述凹入区域的宽度大于所述凹入区域到所述第二透明屏蔽物中的深度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述第一透明屏蔽物及所述第二透明屏蔽物包含玻璃,且其中所述光阻挡层包含聚合物。

6.一种图像传感器封装制作方法,其包括:

提供包含安置于半导体材料中的像素阵列的图像传感器及粘附到所述半导体材料的透明屏蔽物,其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间;

移除所述透明屏蔽物的数个部分以在所述透明屏蔽物中形成凹入区域,其中所述透明屏蔽物的横向边界延伸超过所述像素阵列的横向边界,且其中所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的延伸超过所述像素阵列的所述横向边界的部分中;及

用光阻挡层填充所述凹入区域。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述图像传感器是多个图像传感器中的一者,且其中所述凹入区域安置于所述多个图像传感器中的个别图像传感器之间。

8.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括在所述凹入区域中切割所述透明屏蔽物,其中切割延伸穿过所述光阻挡层及所述透明屏蔽物。

9.根据权利要求7所述的方法,其中通过机械锯而移除所述透明屏蔽物的部分且所述凹入区域大体上为三角形的。

10.根据权利要求7所述的方法,其中通过激光开槽而移除所述透明屏蔽物的部分且所述凹入区域大体上为矩形的。

11.根据权利要求6所述的方法,其中移除所述透明屏蔽物的部分包含蚀刻所述透明屏蔽物。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述凹入区域在所述透明屏蔽物的相对横向侧上被蚀刻成偏移交错的图案。

13.根据权利要求6所述的方法,其中所述光阻挡层包含吸收可见光谱中的大部分波长的有机材料。

14.一种图像传感器封装制作方法,其包括:

提供包含安置于半导体材料中的像素阵列的图像传感器及粘附到所述半导体材料的第一透明屏蔽物,其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述第一透明屏蔽物之间;

沉积安置于所述像素阵列的横向边缘与所述第一透明屏蔽物的横向边缘之间的光阻挡层;及

在所述图像传感器封装上放置第二透明屏蔽物,其中所述光阻挡层安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间。

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