[发明专利]图像传感器封装及其制作方法有效
申请号: | 201910047847.8 | 申请日: | 2017-02-07 |
公开(公告)号: | CN110034141B | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 缪佳君;钱胤;林昭弘;陆震伟;戴森·H·戴;张明;李津 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 封装 及其 制作方法 | ||
本申请案涉及一种图像传感器封装及其制作方法。一种图像传感器封装包含:图像传感器,其具有安置于半导体材料中的像素阵列;及透明屏蔽物,其粘附到所述半导体材料。所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间。光阻挡层安置于所述透明屏蔽物的凹入区域中,且所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的被照射侧上。所述光阻挡层经安置以防止光从所述透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述图像传感器中。
本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2017年02月07日、申请号为201710066831.2、发明名称为“图像传感器封装及其制作方法”的发明专利申请案。
技术领域
本发明大体来说涉及图像传感器,且特定来说但非排他地,涉及边缘反射减少。
背景技术
图像传感器已变得无所不在。其广泛地用于数码静态相机、蜂窝式电话、安全摄像机以及医学、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术一直继续快速地进展。举例来说,对较高分辨率及较低功率消耗的需求已促进了这些装置的进一步小型化及集成。
电子封装是电气工程领域中的次学科。封装是指构建到电子装置中的保护性特征。微电子封装必须考虑到保护以免于机械磨损、过多热、静电放电及成本以及其它。尽管许多消费性电子器件可使用经受时间考验的封装方法,但当前技术水平电子装置可需要高度专门化封装以便使装置恰当地工作。
由于图像传感器按比例缩小,因此其封装必须按比例缩小。然而,封装的按比例缩小呈现与微电子装置的按比例缩小类似的问题。新的较小封装组件可不如较旧的较大组件那般有效地耗散热,且可由于现代装置的小型大小而使旧式组装技术无效。因此,电子封装需要跟上下伏半导体装置的进展。
发明内容
在一个方面中,本发明提供一种图像传感器封装。所述图像传感器封装包括:图像传感器,其包含安置于半导体材料中的像素阵列;透明屏蔽物,其粘附到所述半导体材料,其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间;以及光阻挡层,其安置于所述透明屏蔽物的凹入区域中,其中所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的被照射侧上,且其中所述光阻挡层经安置以防止光从所述透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述像素阵列中。
在另一方面中,本发明提供一种图像传感器封装。所述图像传感器封装包括:图像传感器,其包含安置于半导体材料中的像素阵列;第一透明屏蔽物,其粘附到所述半导体材料,其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述第一透明屏蔽物之间;第二透明屏蔽物,其中所述第一透明屏蔽物安置于所述像素阵列与所述第二透明屏蔽物之间;以及光阻挡层,其安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间,其中所述光阻挡层经安置以防止光从所述第一透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述像素阵列中。
在又一方面中,本发明提供一种图像传感器封装制作方法。所述方法包括:提供包含安置于半导体材料中的像素阵列的图像传感器及粘附到所述半导体材料的透明屏蔽物,其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间;去除所述透明屏蔽物的部分以在所述透明屏蔽物中形成凹入区域,其中所述透明屏蔽物的横向边界延伸超过所述像素阵列的横向边界,且其中所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的延伸超过所述像素阵列的所述横向边界的部分中;以及用光阻挡层填充所述凹入区域。
在又一方面中,本发明提供一种图像传感器封装制作方法。所述方法包括:提供包含安置于半导体材料中的像素阵列的图像传感器及粘附到所述半导体材料的第一透明屏蔽物,其中所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述第一透明屏蔽物之间;沉积安置于所述像素阵列的横向边缘与所述第一透明屏蔽物的横向边缘之间的光阻挡层;以及在所述图像传感器封装上放置第二透明屏蔽物,其中所述光阻挡层安置于所述第一透明屏蔽物与所述第二透明屏蔽物之间。
附图说明
参考以下各图描述本发明的非限制性及非穷尽性实施例,其中除非另有规定,否则贯穿各个视图相似参考编号指代相似部件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的