[发明专利]半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

存储器单元阵列，包括多个存储器单元；

外围电路，将共享页面数据编程在所述多个存储器单元之中的所选择的存储器单元上；以及

控制逻辑，在对所选择的存储器单元的编程操作期间，控制所述外围电路，以将所述共享页面数据的第一部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到第一字线的存储器单元，并且将所述共享页面数据的第二部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到不同于所述第一字线的第二字线的存储器单元。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述控制逻辑控制所述外围电路以生成用于第一页面数据和所述共享页面数据的第一位状态映射关系；通过将包括在所述第一位状态映射关系中的状态之中包括在第一组中的状态彼此组合来生成第二位状态映射关系；并且基于所述第二位状态映射关系对所述第一页面数据和所述第一部分数据进行编程。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中所述控制逻辑控制所述外围电路以生成用于第二页面数据和所述共享页面数据的所述第一位状态映射关系；通过将包括在所述第一位状态映射关系中的状态之中包括在第二组中的状态彼此组合来生成第三位状态映射关系；并且基于所述第三位状态映射关系对所述第二页面数据和所述第二部分数据进行编程。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，

其中所述第一页面数据包括第一最高有效位页面数据即第一MSB页面数据和第一中央有效位页面数据即第一CSB页面数据，

其中所述第二页面数据包括第二MSB页面数据和第二CSB页面数据，

其中所述共享页面数据是最低有效位页面数据即LSB页面数据，并且

其中联接到所述第一字线的存储器单元和联接到所述第二字线的存储器单元一起存储共计五个位。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，

其中所述第一位状态映射关系包括八个级别的状态，所述第一组包括第一状态、第二状态、第三状态和第四状态，所述第二组包括第五状态、第六状态、第七状态和第八状态，

其中所述第二位状态映射关系通过将所述第一状态和所述第二状态彼此组合并将所述第三状态和所述第四状态彼此组合来生成，并且

其中所述第三位状态映射关系通过将所述第五状态和所述第六状态彼此组合并将所述第七状态和所述第八状态彼此组合来生成。

6.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，

其中所述第一页面数据包括第一最高有效位页面数据即第一MSB页面数据、第一较高中央有效位页面数据即第一HCSB页面数据和第一较低中央有效位页面数据即第一LCSB页面数据，

其中所述第二页面数据包括第二MSB页面数据、第二HCSB页面数据和第二LCSB页面数据，

其中所述共享页面数据是最低有效位页面数据即LSB页面数据，并且

其中联接到所述第一字线的存储器单元和联接到所述第二字线的存储器单元一起存储共计七个位。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，

其中所述第一位状态映射关系包括十六个级别的状态，所述第一组包括第一状态至第八状态，所述第二组包括第九状态至第十六状态，

其中所述第二位状态映射关系通过将所述第一位状态映射关系的所述第一状态和第二状态彼此组合、将第三状态和第四状态彼此组合、将第五状态和第六状态彼此组合并将第七状态和所述第八状态彼此组合来生成，并且

其中所述第三位状态映射关系通过将所述第一位状态映射关系的所述第九状态和第十状态彼此组合、将第十一状态和第十二状态彼此组合、将第十三状态和第十四状态彼此组合并将第十五状态和所述第十六状态彼此组合来生成。